[实用新型]一种低功耗小尺寸的上电复位电路有效

专利信息
申请号: 201621123317.5 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN206259915U 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 谢亮;唐雨晴;张文杰;金湘亮 申请(专利权)人: 湘潭芯力特电子科技有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H03K17/284
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 411104 湖南省湘*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 尺寸 复位 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种上电复位电路,尤其涉及一种应用于低功耗小尺寸的上电复位电路,属于集成电路技术领域。

背景技术

随着CMOS片上集成系统(SOC)的不断发展,芯片的集成度不断提高,芯片的功能越来越强大,模拟集成电路和数字集成电路通常集成在同一块芯片上,并且采用统一的电源供电。在外部电源上电的过程中,由于电源电压还未达到稳定的状态,许多电路节点的电压和逻辑状态都处于不稳定状态,在这一时间段,电路很可能会产生不期望出现的错误,特别对于集成度比较高的数字电路,不定电平可能会产生雪崩式的错误,进而影响后期电路的运行。

为了解决上述问题,上电复位电路(Power-On Reset,POR)应运而生。上电复位电路是在电源上电的过程中,检测电源电压,在电源电压达到正常的工作电压(一般被称为“起拉电压”)后,对数字电路进行初始化清零,以保证数字逻辑的正确性和数-模混合芯片的正常工作。

图1所示为传统的积分型上电复位电路结构,当电源电压VDD从0开始上升时,电源开始通过RC电路给电容充电,当充电电压使得反相器由高电平翻转为低电平时,无延时通路将反相器翻转后A点的电压传送至与非门,实现上电复位的上升沿,当A点电压通过延时模块到达与非门的另一个输入端时,实现复位信号的下降沿,最终得到上电复位信号。此电路可能存在以下问题:1)如果要实现宽脉冲宽度的上电复位信号,可能会牺牲很大的面积才能实现;2)想要达到大的起拉电压,必须要调整RC回路和第一个反相器的器件尺寸,这会降低上电复位电路对上电时间的选择性。

发明内容

针对目前存在的技术问题,本实用新型提供一种低功耗、小尺寸、宽复位脉宽的上电复位电路,具有结构简单,高性能的特点。

为实现上述目的,本实用新型通过如下的技术方案来实现:

一种低功耗小尺寸的上电复位电路,至少包括:电源延时模块,连接于一外部电源,用于对所述的外部电源进行延时,并输出一延时电压;上升沿产生模块,连接于所述电源延时模块,用于对所述延时电压进行电压检测,并将检测后的电压进行反相,以产生上升沿的阶跃信号,此信号作为复位信号的下降沿准备信号;下降沿产生模块,连接于所述电源延时模块,用于对所述的延时电压进行第一次反相,再对反相后的电压进行延时,然后对延时后的电压进行第二次反相,以产生下降沿的阶跃信号,此信号作为复位信号的上升沿准备信号;复位脉冲产生模块,连接于所述的上升沿产生模块和所述下降沿产生模块,用于对接收到的上升沿阶跃信号和下降沿阶跃信号进行与非,利用与非门逻辑产生复位脉冲;脉冲整形模块,连接于所述的复位脉冲产生模块,用于对所述的复位脉冲进行放大和整形,并将放大和整形后的电压信号作为上电复位电路的输出信号。

进一步地,在本实用新型的上电复位电路中,所述电源延时模块电路含有第一电容C1、第二电容C2、P型MOS管M1、P型MOS管M2和P型MOS管M3,用于对输入的电源进行延时,输出延时电压。第一电容C1的一端、P型MOS管M2的源极与电源相互连接;第一电容C1的另一端、P型MOS管M1的源极与P型MOS管M3的栅极相互连接;P型MOS管M1的漏极、第二电容C2的一端与地相互连接;P型MOS管M2的栅极、P型MOS管M2的漏极与P型MOS管M3的源极相互连接;P型MOS管M1的栅极、P型MOS管M3的漏极、第二电容C2的另一端与电源延时模块的输出端相互连接。

进一步地,在本实用新型的上电复位电路中,所述的上升沿产生模块含有第一两输入与非门NAND1构成电平检测电路,通过调整第一两输入与非门NAND1的器件尺寸设计合适的翻转电平;所述的上升沿产生模块含有第一反相器INV1构成电压反相电路,用来产生上升沿的阶跃信号。第一两输入与非门NAND1的一输入端与电源连接;第一两输入与非门NAND1的另一输入端与电源延时模块的输出端连接;第一两输入与非门NAND1的输出端与第一反相器INV1的输入端连接;第一反相器INV1的输出与上升沿产生模块的输出端连接。

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