[实用新型]LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术领域，尤其涉及LED芯片。

背景技术

LED灯是目前世界范围市场上广泛使用的照明灯具，具有体积小，亮度高，耗电量低，发热少，使用寿命长，环保等优点，并且具有丰富多彩的颜色种类，深受消费者的喜爱。与此同时，LED芯片作为背光源在手机，电视机等需要显示屏的电子产品中发挥着不可或缺的作用，随着电子产品的尺寸的不断缩小，也要求LED芯片的尺寸能够大幅减小，因此，世界各大LED芯片厂家一直致力于研制高光效的芯片结构。

从LED芯片结构本身来考虑，在争取单位面积发出更多的光子，主流技术是在LED芯片有源区增加量子阱数量，LED芯片发光的机理是电流通过芯片有源区的量子阱时空穴与电子的辐射复合发光，量子阱越多代表着产生辐射发光的机会就越大。

通过增加有源区量子阱数量来获取更高的亮度必将遇到发展的瓶颈，量子阱主要是提高复合效率，量子阱越多复合效率也越高，但是也不能无限多，也受限于量子阱与量子阱之间壁厚，如果量子阱太多，会导致壁很薄，会出现电子隧穿现象，导致量子井电量分布不均匀。另外，一个LED芯片的有源区部分厚度大概就几个微米，在这么薄的区间设计大量量子阱，必将引起热流密度集中，产生一系列可靠性问题，使用寿命大幅度下降。相关资料研究显示，随着阱个数的增加，可以使电子注入到较多的量子阱中，减小活性区载流子的密度，从而减轻俄歇复合效应。而当阱的个数增加时，由于极化的积累，使得能带弯曲和载流子泄露现象严重，导致器件性能下降；此外，增加量子阱数量，在外延生长时不仅浪费原材料，还会增加量子阱的生长难度，难以制备高质量的量子阱。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种LED芯片，用以在同样大小的芯片面积之下实现双倍的量子阱数量，同时不引起可靠性问题，该LED芯片衬底的上下表面各有一个发光单元。

本实用新型实施例的LED芯片，通过LED芯片衬底上下表面均有发光单元的结构设计，相对于传统LED芯片光效更高，在同样大小的芯片面积之下可以实现双倍的量子阱数量，比传统芯片更亮，寿命更长，可靠性好，并且工艺简单，成本低，具有较大的市场价值。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1为本实用新型实施例中涉及的传统LED芯片结构示意图；

图2为本实用新型实施例中LED芯片结构示意图；

图3为本实用新型实施例中LED芯片封装形式示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本实用新型实施例做进一步详细说明。在此，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

本实用新型实施例中提供一种LED芯片，该LED芯片光效高，在相同面积的情况下比传统芯片更亮，寿命更长，可靠性好，并且工艺简单，成本低，具有较大的市场价值。并且，本实用新型实施例的LED芯片在制作过程中，可以在不改变现有LED芯片工艺流程的基础上，尽量少增加工序，制作出一种衬底双面都有有源区的LED芯片，从而使量子阱数量设计成倍增加。

下面先介绍传统LED芯片结构，图1为本实用新型实施例中涉及的传统LED芯片结构示意图，如图1所示，在传统的LED芯片中，衬底11上设有N型缓冲层12、N型层13、有源区量子阱15、P型层16、透明导电层17、正电极18和负电极14。传统LED芯片大致工艺流程例如：制作衬底，进行结构设计，缓冲层生长，N型GaN层生长，多量子阱发光层生长，P型GaN层生长，退火，检测(光荧光、X射线)，外延片，设计、加工掩模版，光刻，离子刻蚀，N型电极(镀膜、退火、刻蚀)，P型电极(镀膜、退火、刻蚀)，划片，芯片分检、分级等。由于传统LED芯片生产工艺已经发展得相当成熟，这里仅举一例说明其大致工艺流程，本领域技术人员熟知，具体生产时工艺过程可能有一些细节的变化。