[实用新型]废光刻胶回收再生系统有效
申请号: | 201621143287.4 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN206400266U | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 罗文烽 | 申请(专利权)人: | 罗文烽 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙)33213 | 代理人: | 沈渊琪 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 回收 再生 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种回收再生系统,尤其涉及一种废光刻胶回收再生系统。
背景技术
在印制电路板(PCB)的制作过程或半导体制作过程中,在使用微影光刻(photolithography)工艺与蚀刻工艺来定义图案时,都会使用到光刻胶。在定义出图案之后,会使用如NaOH等的碱性溶液来将光刻胶移除,而形成废光刻胶。由于废光刻胶为碱性,若随意丢弃会对环境造成重大的污染。因此,如何有效的处理废光刻胶,使废光刻胶能够回收再生利用为目前业界有待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种废光刻胶回收再生系统,其可有效地将废光刻胶进行回收再生利用。
本实用新型提出一种废光刻胶回收再生系统,包括中和装置、脱水装置与交联化装置。中和装置用于对废光刻胶进行中和处理。脱水装置连通至中和装置,且用于对中和处理后的废光刻胶进行脱水处理。交联化装置连通至脱水装置,且用于对脱水处理后的废光刻胶进行交联处理,而获得交联聚合物。
根据本实用新型的一实施例所述,在上述的废光刻胶回收再生系统中,中和装置包括中和处理槽与酸添加装置。中和处理槽用于容置废光刻胶。酸添加装置连通至中和处理槽。
根据本实用新型的一实施例所述,在上述的废光刻胶回收再生系统中,中和装置还可包括搅拌装置。搅拌装置设置于中和处理槽中。
根据本实用新型的一实施例所述,在上述的废光刻胶回收再生系统中,交联化装置包括交联处理槽、酸添加装置、氧化剂添加装置与催化剂添加装置。交联处理槽用于容置脱水处理后的废光刻胶。酸添加装置连通至交联处理槽。氧化剂添加装置连通至交联处理槽。催化剂添加装置连通至交联处理槽。
根据本实用新型的一实施例所述,在上述的废光刻胶回收再生系统中,还可包括纯化装置。纯化装置连通至交联化装置,且用于纯化交联聚合物。
基于上述,通过本实用新型所提出的废光刻胶回收再生系统,可对废光刻胶进行中和、脱水与交联处理,以获得能够再利用的交联聚合物。因此,本实用新型所提出的废光刻胶回收再生系统能够有效地将废光刻胶进行回收再生利用,进而可有效地降低生产成本,且可防止废光刻胶对环境造成污染。
为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的废光刻胶回收再生系统的示意图;
图2为本实用新型一实施例的废光刻胶回收再生方法的流程图。
附图标记:
100:废光刻胶回收再生系统;
102:中和装置;
104:脱水装置;
106:交联化装置;
108:废光阻源;
110:中和处理槽;
112:酸添加装置;
114:搅拌装置;
116:挤压装置;
118:烘干装置;
120:交联处理槽;
122:酸添加装置;
124:氧化剂添加装置;
126:催化剂添加装置;
128:纯化装置;
S100、S102、S104、S110、S112、S114、S120、S130:步骤。
具体实施方式
图1为本实用新型一实施例的废光刻胶回收再生系统的示意图。
请参照图1,废光刻胶回收再生系统100包括中和装置102、脱水装置104与交联化装置106。废光刻胶回收再生系统100可用于对印制电路板的制作过程或半导体制作过程中所产生的废光刻胶进行回收再生利用。废光刻胶例如是在对图案化对象进行图案化工艺之后,使用碱性溶液从图案化对象上所移除的光刻胶,其中光刻胶可为干膜或湿膜。
此外,废光刻胶回收再生系统100还可包括废光阻源108。废光阻源108连通至中和装置102,且用于提供废光刻胶至中和装置102。废光阻源108例如是废光刻胶储存槽或厂务的废光刻胶排放系统。
中和装置102用于对废光刻胶进行中和处理,可将废光刻胶的酸碱值调整为趋近于中性。废光刻胶在进行中和处理之后可成为片状。中和装置102包括中和处理槽110与酸添加装置112。中和处理槽110用于容置废光刻胶。酸添加装置112连通至中和处理槽110,且可将酸添加至中和处理槽110中,以对废光刻胶进行中和。酸添加装置112添加至中和处理槽110中的酸例如是硫酸或醋酸等有机酸类。中和处理后的废光刻胶的酸碱值例如是小于7.5。
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