[实用新型]衬底及外延片有效
| 申请号： | 201621144619.0 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN206412363U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 顾广安 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种衬底，其特征在于，包括衬底本体及本征硅层；所述本征硅层铺设在所述衬底本体的上表面上；所述本征硅层的上表面用于铺设外延层；所述本征硅层的厚度为0.5-1μm。
2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述本征硅层的厚度设置与所述衬底本体的厚度呈正相关。
3.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述衬底本体为N型。
4.根据权利要求1所述的衬底，其特征字在于：所述衬底本体掺杂有砷、磷及锑中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述衬底本体为重掺砷衬底本体或重掺磷衬底本体。
6.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述本征硅层由三氯硅烷与氢气反应生成。
7.一种外延片，其特征在于，包括外延层及如权利要求1至6中任一项所述的衬底；所述外延层铺设在所述本征硅层的上表面。
8.根据权利要求7所述的外延片，其特征在于：所述外延层的制备温度为1020-1040℃。
9.根据权利要求7所述的外延片，其特征在于：所述外延层的成长速率为0.5-1μm/min。
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