[实用新型]一种用于中子俘获治疗的中子发生器

权利要求书

1.一种用于中子俘获治疗的中子发生器，包括真空腔体，设置在真空腔体上的抽真空系统，设置在真空腔体内的靶系统，将离子引导到靶系统上的离子源系统，其特征在于，所述离子源系统包括设置在真空腔体内的放电室(9)，设置在放电室(9)上的引出电极(10)；所述引出电极(10)为多孔，均匀分布在放电室(9)的一周的侧壁；所述靶系统包括位于真空腔体内且围绕放电室(9)一周的侧壁设置的靶件(11)，与靶件(11)连接的负高压电源(13)。

2.根据权利要求1所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述离子源系统还包括微波发生器(1)，一端与微波发生器(1)连接，另一端延伸到放电室(9)内的波导(4)，设置在波导(4)上的微波调谐器(3)，与波导(4)连接的环形器(2)，通过连接管与放电室(9)连通的氘气瓶(7)，设置在真空腔体上或真空腔体外的陶瓷绝缘体(8)，以及设置真空腔体外且用于产生作用于放电室(9)的磁场的永磁体(12)。

3.根据权利要求2所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述永磁体(12)为环状结构，该环状结构的永磁体(12)套接在陶瓷绝缘体(8)上。

4.根据权利要求2所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述离子源系统上还设置有低电位循环水装置(5)，该低电位循环水装置(5)出水口通过水管与放电室(9)的入水口相连，放电室(9)的出水口通过水管与微波发生器(1)的入水口相连，微波发生器(1)的出水口通过水管与环形器(2)的入水口相连，环形器(2)的出水口通过水管与低电位循环水装置(5)的入水口相连。

5.根据权利要求2所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述靶系统包括用于固定靶件(11)的上法兰(15)，该靶件(11)顶端固定在上法兰(15)下方；所述离子源系统还包括用于固定放电室(9)的下法兰(18)，该放电室(9)固定在下法兰(18)上方；所述陶瓷绝缘体(8)位于上法兰(15)与下法兰(18)之间，且该陶瓷绝缘体(8)、上法兰(15)与下法兰(18)之间固定后形成真空腔体，该下法兰(18)上设置有抽真空孔，该真空腔体通过抽真空系统抽真空后形成高真空室(19)。

6.根据权利要求5所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述靶系统还包括固定在上法兰(15)上方且与负高压电源(13)连接的高压端盖板(14)，该高压端盖板(14)通过不锈钢圆柱固定在上法兰(15)上，该负高压电源(13)通过不锈钢圆柱与连接在上法兰(15)上的靶件(11)连通。

7.根据权利要求1所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述靶系统还包括高电位循环水装置(16)，该高电位循环水装置(16)的出水口通过水管与靶件(11)入水口相连，靶件(11)的出水口通过水管与高电位循环水装置(16)的入水口相连。

8.根据权利要求1所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述抽真空系统包括用于抽取真空腔体内气体的分子泵(20)，以及通过管道(21)连接在分子泵(20)上的干泵(22)。

9.根据权利要求8所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述管道(21)为波纹管。

10.根据权利要求2所述的一种用于中子俘获治疗的中子发生器，其特征在于，所述陶瓷绝缘体(8)、放电室(9)和靶件(11)同轴设置，陶瓷绝缘体(8)、放电室和靶件(11)均为筒状结构，靶件(11)位于陶瓷绝缘体(8)内，放电室(9)位于靶件(11)内，永磁体(12)位于真空腔体外。