[实用新型]半导体设备有效
| 申请号： | 201621186363.X | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN206505893U | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 大卫·克拉克;可陆提斯·史温格 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人： | 林柳岑,王兴 |
| 地址： | 美国亚利桑那*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
1.一种设备，其特征在于，包括：
光透射的载体结构；
在所述光透射的载体结构上的第一重分布结构；以及
包括光学组件的半导体晶粒，其是附接且电耦接至所述第一重分布结构，使得所述半导体晶粒的底表面是面对所述第一重分布结构以及所述光透射的载体结构。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括在所述半导体晶粒的所述底表面与所述第一重分布结构之间的光透射的底胶填充材料。
3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括：
在所述半导体晶粒的顶表面之上的第二重分布结构；以及
导电的互连结构，其是附接至所述第二重分布结构的导电层以形成所述半导体封装的外部的连接器。
4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，进一步包括一或多个导电贯孔，其是将所述第二重分布结构电耦接至所述第一重分布结构。
5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括另一半导体晶粒，其是附接且电耦接至所述第一重分布结构，使得所述另一半导体晶粒的另一光学组件是面对所述第一重分布结构以及所述光透射的载体结构。
6.如权利要求5所述的设备，其特征在于，进一步包括在所述半导体晶粒的底表面与所述第一重分布结构之间的光透射的底胶填充材料。
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述光透射的载体是包括透镜，其被配置以导引光至所述光学组件、或是从所述光学组件导引光。
8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述光透射的层是提供光抗反射的性质。
9.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述光透射的层是提供滤光的性质。
10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述光透射的层是提供光极化的性质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
