[实用新型]半导体设备

说明书

技术领域

本实用新型有关于半导体设备。

背景技术

现有用于形成半导体封装的半导体封装及方法是不足的，其例如是导致过多的成本、降低的可靠度、或是过大的封装尺寸。习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，通过此种方式与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。

实用新型内容

此揭露内容的各种特点是提供一种用于制造一半导体装置的方法以及一种藉此所产生的半导体装置。例如且非限制性的，此揭露内容的各种特点是提供一种用于制造一半导体装置的方法、以及一种藉此所产生的半导体装置，其包括一透明的、半透明的、非不透明的、或者是光透射的外表面。

一种设备，其包括：光透射的载体结构；在所述光透射的载体结构上的第一重分布结构；以及包括光学组件的半导体晶粒，其是附接且电耦接至所述第一重分布结构，使得所述半导体晶粒的底表面是面对所述第一重分布结构以及所述光透射的载体结构。如所述设备，其进一步包括在所述半导体晶粒的所述底表面与所述第一重分布结构之间的光透射的底胶填充材料。如所述设备，其进一步包括：在所述半导体晶粒的顶表面之上的第二重分布结构；以及导电的互连结构，其是附接至所述第二重分布结构的导电层以形成所述半导体封装的外部的连接器。如所述设备，其进一步包括一或多个导电贯孔，其是将所述第二重分布结构电耦接至所述第一重分布结构。如所述设备，其进一步包括另一半导体晶粒，其是附接且电耦接至所述第一重分布结构，使得所述另一半导体晶粒的另一光学组件是面对所述第一重分布结构以及所述光透射的载体结构。如所述设备，其进一步包括在所述半导体晶粒的底表面与所述第一重分布结构之间的光透射的底胶填充材料。如所述设备，其中所述光透射的载体是包括透镜，其被配置以导引光至所述光学组件、或是从所述光学组件导引光。如所述设备，其中所述光透射的层是提供光抗反射的性质。如所述设备，其中所述光透射的层是提供滤光的性质。如所述设备，其中所述光透射的层是提供光极化的性质。

附图说明

图1A至1J是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。

图2是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种半导体装置的横截面图。

图3A至3J是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。

图4A至4F是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。

图5是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种半导体装置的横截面图。

具体实施方式

以下的讨论是藉由提供本揭露内容的例子来呈现本揭露内容的各种特点。此种例子并非限制性的，并且因此本揭露内容的各种特点的范畴不应该是必然受限于所提供的例子的任何特定的特征。在以下的讨论中，措辞"例如"、"譬如" 以及"范例的"是并非限制性的，并且大致与"举例且非限制性的"、"例如且非限制性的"、及类似者为同义的。

如同在此所利用的，"及/或"是表示在表列中藉由"及/或"所加入的项目中的任一个或多个。举例而言，"x及/或y"是表示三个元素的集合{(x)、(y)、(x,y)} 中的任一元素。换言之，"x及/或y"是表示"x及y中的一或两者"。作为另一例子的是，"x、y及/或z"是表示七个元素的集合{(x)、(y)、(z)、(x,y)、(x,z)、(y,z)、 (x,y,z)}中的任一元素。换言之，"x、y及/或z"是表示"x、y及z中的一或多个"。

在此所用的术语只是为了描述特定例子之目的而已，因而并不欲限制本揭露内容。如同在此所用的，除非上下文另有清楚相反的指出，否则单数形是欲亦包含复数形。进一步将会理解到的是，当术语"包括"、"包含"、"具有"、与类似者用在此说明书时，其指明所述特点、整数、步骤、操作、组件及/或构件的存在，但是并不排除一或多个其它特点、整数、步骤、操作、组件、构件及/或其群组的存在或是添加。