[实用新型]一种低压VDMOS器件有效
| 申请号： | 201621187877.7 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN206236675U | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张国光;王自鑫;郭建平;邱晓辉;张顺;姚剑锋;严向阳 | 申请（专利权）人： | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司44379 | 代理人： | 刘羽波 |
| 地址： | 528051 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 vdmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压VDMOS器件，其特征在于：包括N型衬底、外延层、P体区、N+源区、源极金属、栅氧化层和多晶硅层；
所述N型衬底位于所述器件最底部，所述N型衬底设置有连接漏极的接口；
所述外延层为“凹”型，且其设于所述N型衬底的上部，所述外延层的厚度为3.5μm，所述外延层的电阻率为0.1437Ω·cm；
所述P体区设置于所述外延层的凹部的上表面；
所述N+源区设于所述P体区的上部；
所述源极金属位于所述N+源区的上部，所述源极金属设有连接源极的接口；
所述多晶硅层设置于所述外延层凸部的上表面，所述多晶硅层设有连接栅极的接口；
所述栅氧化层设于所述多晶硅层下端。
2.根据权利要求1所述的一种低压VDMOS器件，其特征在于：所述栅氧化层的材料为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的一种低压VDMOS器件，其特征在于：所述P体区含有硼离子。
4.根据权利要求1所述的一种低压VDMOS器件，其特征在于：所述N+源区含有砷离子。
5.根据权利要求1所述的一种低压VDMOS器件，其特征在于：所述低压VDMOS器件为一个元胞结构。
6.根据权利要求5所述的一种低压VDMOS器件，其特征在于：所述元胞的长度为3μm，宽度为1μm，厚度为6.5μm，面积为3μm2。
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