[实用新型]基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器

权利要求书

1.一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器，其特征在于，包括硅片，部分的硅片的抛光面上具有连续且厚度均匀的绝缘层，绝缘层的上方具有连续且厚度均匀的电极层，部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层，剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。

2.根据权利要求1所述的基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器，其特征在于，所述绝缘层与电极层之间具有连接层，所述硅片的厚度为300到1000微米，所述绝缘层的厚度为200-500纳米，所述绝缘层的材质为二氧化硅，所述电极层的厚度为100到300纳米，所述电极层的材质为金，所述连接层的厚度为20到30纳米，所述连接层的材质为铬，所述感光纳米石墨烯材料层的厚度为1到3层碳原子，面积为100到1000000平方微米。

3.根据权利要求1或2所述的基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器，其特征在于，所述光子晶体部分形成为周期性排列的六边形或者圆形孔洞，所述光子晶体部分的厚度为400-700纳米，光子晶体周期为4到10微米，圆形孔洞直径或六边形外接圆直径与光子晶体周期之比为0.6到0.8之间。

4.一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器，其特征在于，包括表面具有二氧化硅层的硅片，于具有二氧化硅层一侧的部分的硅片上方具有电极层，电极层分为形成为处于硅片上方两端的两个间隔的部分，部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层，剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。

5.根据权利要求4所述的基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器，其特征在于，所述具有二氧化硅层一侧的部分的硅片与电极层之间具有连接层，所述硅片的厚度为300到1000微米，所述二氧化硅层的厚度为200-500纳米，所述电极层的厚度为100到300纳米，所述电极层的材质为金，所述连接层的厚度为20到30纳米，所述连接层的材质为铬，所述感光纳米石墨烯材料层的厚度为1到3层碳原子，面积为100到1000000平方微米。

6.根据权利要求4或5所述的基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器，其特征在于，所述光子晶体部分形成为周期性排列的六边形或者圆形孔洞，所述光子晶体部分的厚度为400-700纳米，光子晶体周期为4到10微米，圆形孔洞直径或六边形外接圆直径与光子晶体周期之比为0.6到0.8之间。