[实用新型]基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器有效
申请号: | 201621208965.0 | 申请日: | 2016-11-09 |
公开(公告)号: | CN206271725U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 赖伟超;卢伟贤;唐鑫;潘志豪;郑颕怡 | 申请(专利权)人: | 香港生产力促进局 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/028;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 毛广杰 |
地址: | 中国香港九*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 光子 晶体 响应 增强 技术 石墨 红外传感器 | ||
技术领域
本实用新型属于光电传感器领域,具体涉及一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器。
背景技术
红外检测技术有着极其广泛的应用,并且随着红外检测技术的不断的发展及普及,新的应用被不断开发。目前主要集中在四种商业用途:红外热像仪,汽车主动安全技术,智能手机中的红外成像及监控领域。预计到2017年底,商用成像市场份额将超过军事用途,占据市场50%以上,达到30亿美金。红外热像仪应用集中在电气设备检测、机电设备检测、建筑检测及产品品质控制。将红外传感器安装于车辆上,可以在夜间或雾、霾等气候条件下有效地提高驾驶员视距,从而成为重要的安全驾驶辅助手段。
目前红外探测技术主要有两种:制冷式窄带半导体探测和非制冷式热量传感器。制冷式窄带半导体例如InSb和HgCdTe具有灵敏度高、响应速度快等优势,然而,复杂的加工流程和制冷设备的要求大大提高其加工成本。非制冷式热量传感器无需外加制冷设备,主要依靠热敏感元件受热电阻发生改变来进行检测。其成本较低,但是灵敏度及响应速度不及制冷式窄带半导体。而且,不论是制冷式还是非式制冷探测器,都只能针对某一较宽的红外波长范围进行检测,无法有效区分不同波长的红外光。
实用新型内容
针对现有技术中存在的问题,本实用新型涉及一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器。
本实用新型提供一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器,包括硅片,部分的硅片的抛光面上具有连续且厚度均匀的绝缘层,绝缘层的上方具有连续且厚度均匀的电极层,部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层,剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。
所述绝缘层与电极层之间具有连接层,所述硅片的厚度为300到1000微米,所述绝缘层的厚度为200-500纳米,所述绝缘层的材质为二氧化硅,所述电极层的厚度为100到300纳米,所述电极层的材质为金,所述连接层的厚度为20到30纳米,所述连接层的材质为铬,所述感光纳米石墨烯材料层的厚度为1到3层碳原子,面积为100到1000000平方微米。
所述光子晶体部分形成为周期性排列的六边形或者圆形孔洞,所述光子晶体部分的厚度为400-700纳米,光子晶体周期为4到10微米,圆形孔洞直径或六边形外接圆直径与光子晶体周期之比为0.6到0.8之间。
本实用新型还提供一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器,包括表面具有二氧化硅层的硅片,于具有二氧化硅层一侧的部分的硅片上方具有电极层,电极层分为形成为处于硅片上方两端的两个间隔的部分,部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层,剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。
所述具有二氧化硅层一侧的部分的硅片与电极层之间具有连接层,所述硅片的厚度为300到1000微米,所述二氧化硅层的厚度为200-500纳米,所述电极层的厚度为100到300纳米,所述电极层的材质为金,所述连接层的厚度为20到30纳米,所述连接层的材质为铬,所述感光纳米石墨烯材料层的厚度为1到3层碳原子,面积为100到1000000平方微米。
所述光子晶体部分形成为周期性排列的六边形或者圆形孔洞,所述光子晶体部分的厚度为400-700纳米,光子晶体周期为4到10微米,圆形孔洞直径或六边形外接圆直径与光子晶体周期之比为0.6到0.8之间。
本实用新型具有以下优点:
本实用新型相比于传统红外探测器,使用新型纳米石墨烯材料作为感光材料,具有高电子迁移率及宽波段光响应率的优点;
本实用新型相比于传统红外探测器,加入光子晶体汇聚特定波长红外线,提高了光响应率;
本实用新型相比于传统红外探测器,利用光子晶体实现针对特定波长红外线的高灵敏检测;
本实用新型相比于传统红外探测器,通过化学掺杂调节石墨烯费米能级,实现对不同波长的不同灵敏度检测;
本实用新型相比于传统红外探测器,其制备过程简单,成本低;
本实用新型相比于传统红外探测器,是一种无需制冷的量子传感器。
附图说明
图1A是本实用新型具有石墨烯-硅异质结结构的石墨烯红外传感器的结构示意图;
图1B是本实用新型中具有金属-石墨烯-金属结构的石墨烯红外传感器的结构示意图;
图2A是本实用新型中制备具有石墨烯-硅异质结结构的石墨烯红外传感器的方法流程图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的