[实用新型]一种引线框架结构及半导体器件

权利要求书

1.一种引线框架结构，其特征在于，包括基岛(1)和环绕所述基岛(1)设置的引脚，所述引脚包括与所述基岛(1)间隔设置的第一引脚(2)，所述第一引脚(2)的侧面上靠近所述基岛(1)的区域设置有凸出于所述侧面的凸起(21)。

2.如权利要求1所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起(21)通过冲压或蚀刻形成。

3.如权利要求1所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起(21)凸出于侧面的高度为0.05mm-0.15mm。

4.如权利要求3所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起(21)凸出于侧面的高度为0.075mm。

5.如权利要求1-4任一项所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起(21)为尖端形。

6.如权利要求1-4任一项所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起(21)位于所述侧面的边缘处。

7.如权利要求6所述的引线框架结构，其特征在于，所述第一引脚(2)靠近基岛(1)的一端沿所述基岛(1)的外围间隔设置，且向远离所述基岛(1)的一侧倾斜，并形成倾斜面，所述凸起(21)位于所述倾斜面与所述侧面的交接处。

8.如权利要求7所述的引线框架结构，其特征在于，所述第一引脚(2)的数目为多个，多个第一引脚(2)环绕所述基岛(1)设置，每个所述第一引脚(2)上均设置有所述凸起(21)。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的引线框架结构。