[实用新型]一种引线框架结构及半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件的技术领域，尤其涉及一种引线框架结构及半导体器件。

背景技术

现有的引线框架如图1所示，包括基岛1′，基岛1′外环绕有引脚和连接脚(后续会被切除)，引脚包括与基岛1′间隔设置(即未与基岛1′直接连接)的第一引脚2′和与基岛直接连接的第二引脚，引线框架在与芯片焊接后会进行塑封处理，塑封后如图2所示，在将塑封后的引线框架切筋(即将连接脚切除)和成形(将引脚折弯呈类似于S形)时，如图3和图4所示，第一引脚2′在成形时会被拉动，从图3中2′被拉动到2a′的位置，使得铜2b′外露、塑封内部的焊线(连接于芯片和引脚之间的导线)也因此断裂，导致塑封后的引线框架报废。

实用新型内容

本实用新型的第一目的在于提出一种引线框架结构，利用凸起增加引脚和塑封胶体之间的结合力，避免引脚被拉动，从而避免焊线断裂。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种引线框架结构，包括基岛和环绕所述基岛设置的引脚，所述引脚包括与所述基岛间隔设置的第一引脚，所述第一引脚的侧面上靠近所述基岛的区域设置有凸出于所述侧面的凸起。

其中，所述凸起通过冲压或蚀刻形成。

其中，所述凸起凸出于侧面的高度为0.05mm-0.15mm。

其中，所述凸起凸出于侧面的高度为0.075mm。

其中，所述凸起为尖端形。

其中，所述凸起位于所述侧面的边缘处。

其中，所述第一引脚靠近基岛的一端沿所述基岛的外围间隔设置，且向远离所述基岛的一侧倾斜，并形成倾斜面，所述凸起位于所述倾斜面与所述侧面的交接处。

其中，所述第一引脚的数目为多个，多个第一引脚环绕所述基岛设置，每个所述第一引脚上均设置有所述凸起。

本实用新型的第二目的在于提出一种半导体器件，利用凸起增加引脚和塑封胶体之间的结合力，避免引脚被拉动，从而避免焊线断裂。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种半导体器件，其特征在于，包括上述的引线框架结构。

有益效果：本实用新型提供了一种引线框架结构及半导体器件。引线框架结构包括基岛和环绕所述基岛设置的引脚，所述引脚包括与所述基岛间隔设置的第一引脚，所述第一引脚的侧面上靠近所述基岛的区域设置有凸出于所述侧面的凸起。凸起可以增加引脚和塑封胶体之间的结合力，避免引脚被拉动，从而避免焊线断裂，提高了引线框架在切筋成形后的良品率，且结构简单，成本低。

附图说明

图1是现有技术的引线框架的主视图。

图2是现有技术的引线框架的进行塑封后的主视图。

图3是现有技术的塑封后的引线框架的切筋成形后的主视图。

图4是现有技术的塑封后的引线框架的切筋成形后的侧图。

图5是本实用新型的引线框架的主视图。

图6是图5的A处的局部放大图。

图7是本实用新型的引线框架的进行塑封后的主视图。

图8是本实用新型的塑封后的引线框架的切筋成形后的主视图。

其中：

1-基岛，2-第一引脚，21-凸起，1′-基岛，2′-第一引脚，2a′-变形后的第一引脚，2b′-铜。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

实施例1

本实施例提供了一种引线框架结构，如图5和图6所示，包括基岛1和环绕基岛1设置的引脚，引脚包括与基岛1间隔设置的第一引脚2，第一引脚2的侧面上靠近基岛1的区域设置有凸出于侧面的凸起21。引脚也包括了直接与基岛1连接的第二引脚，第二引脚由于直接与基岛1连接，在折弯时受到基岛1的拉力，不会被拉动。第一引脚2通过在侧面(侧面是指第一引脚2延伸的两侧的面)设置凸起21，第一引脚2的侧面不再是光面，可以增加第一引脚2和塑封胶体之间的结合力，避免第一引脚2被拉动，从而避免焊线断裂，提高了引线框架在切筋成形后的良品率，且结构简单，成本低。本实施例的引线框架在塑封后如图7所示，在经过切筋和折弯后，如图8所示，第一引脚2仍然保持在原位置，不会被拉动。