[实用新型]一种新型表面特征整流桥

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种整流桥，更具体地，涉及一种新型表面特征整流桥。

背景技术

现代社会生产中，电子行业竞争日益激烈，随着微电子电路、表面安装技术(SMT)的采用和不断发展完善，轻、薄、小成为衡量电子整机产品的重要标志，而要使电子设备小型化，首先就要考虑电子元件的小型化，而传统的电子元器件生产，一般为手工插件作业，加工效率低，占用空间大，已经不能满足现有电子整机产品对对电子元器件的大功率，小体积的要求，因此，本实用新型提供一种新型表面特征整流桥来解决上述问题。

实用新型内容

基于传统电子元器件生产中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种新型表面特征整流桥。

本实用新型的目的主要通过以下的技术方案来实现。

一种新型表面特征整流桥，其包括：第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、第一晶片、第二晶片、第三晶片、第四晶片、第一跳板、第二跳板和塑封罩，所述第一框架、第二框架、第三框架和第四框架拼接组成一个矩形结构，且各个框架互不接触，其中，第一框架和第二框架分别位于矩形的左上和右上，第四框架位于矩形的右下，且第一框架、第二框架、第三框架和第四框架分别突出一个矩形的极片，位于整个整流桥的左上角、右上角、左下角和右下角，所述第一晶片和第二晶片并排安装在第三框架上，所述第三晶片和第四晶片并排安装在第四框架上，且第一晶片和第三晶片及第二晶片和第四晶片中心对齐，所述第一跳板将第一框架、第一晶片和第三晶片相连，所述第二跳板将第二框架、第二晶片和第四晶片相连，所述塑封罩将第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、第一晶片、第二晶片、第三晶片、第四晶片、第一跳板和第二跳板塑封在一起，并将第一框架、第二框架、第三框架和第四框架的极片露出在外。

优选地，所述第一框架和第二框架的极片为正极的输入和输出。

优选地，所述第三框架和第四框架的极片为负极的输入和输出。

优选地，所述第一晶片和第二晶片的下端负极面与第三框架相连。

优选地，所述第三晶片和第四晶片的下端正极面与第四框架相连。

与现有技术相比，本实用新型的一种新型表面特征整流桥的有益效果在于：

通过所述新型表面特征整流桥的结构组成，能够将多个晶片集成在一个整流桥上并进行塑封，实现了电子元器件的小体积和大功率，大幅提高了电子元器件的整体性能，且组装方式简单，加工容易，完全可以实现大规模，自动化的生产，使用简单，方便可靠。

附图说明

图1是依照本实用新型优选实施例构成的新型表面特征整流桥的结构示意图。

图2是依照本实用新型优选实施例构成的新型表面特征整流桥侧视图的结构示意图。

图中：

1-第一框架；2-第二框架；3-第三框架；4-第四框架；5-第一晶片；6-第二晶片；7-第三晶片；8-第四晶片；9-第一跳板；10-第二跳板；11-塑封罩。

具体实施方式

在下文中，将参考附图对本实用新型的具体实施例进行详细地描述，依照这些详细的描述，所属领域技术人员能够清楚地理解本实用新型，并能够实施本实用新型。在不违背本实用新型原理的情况下，各个不同的实施例中的特征可以进行组合以获得新的实施方式，或者替代某些实施例中的某些特征，获得其它优选的实施方式。