[实用新型]一种移相全桥谐振逆变电路的混合集成电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种移相全桥谐振逆变电路，尤其涉及一种移相全桥谐振逆变电路的混合集成电路。

背景技术

近年来，随着电子技术的发展，邮电通信、交通设施、仪器仪表、工业设施、家用电器等越来越多地应用开关电源，随着科学技术的不断进步，对大功率电源的需求也就越来越大。与此同时大量集成电路、超大规模集成电路等电子通信设备日益增多，要求电源的发展趋势是小型化、轻量化。通常滤波电感、电容和变压器的体积和重量比较大，因此主要是靠减少它们的体积来实现小型化、轻量化。

我们可以通过减少变压器的绕组匝数和减小铁心尺寸来提高工作频率，但在提高开关频率的同时，开关损耗会随之增加，电路效率会严重下降。针对这些问题出现了软开关技术，它利用以谐振为主的辅助换流手段，解决了电路中的开关损耗和开关噪声问题，使开关电源能高频高效地运行，从20世纪70年代以来国内外就开始不断研究高频软开关技术，目前，移相全桥谐振逆变电路一般是用分立元件、驱动器、NPN/MOS装配在一个PCB板上，具有输出温度特性差、稳定性差、体积大、可靠性低等缺点，若作为谐振逆变电路，会严重降低电源的工作效率。

实用新型内容

为了克服传统技术的温度特性差、稳定性差、体积大、可靠性低等缺点，本实用新型提供了一种移相全桥谐振逆变电路的混合集成电路，该电路具有转换效率高、耐温高、耐压高、稳定性高、体积小、可靠性高等优点。

本实用新型是通过以下技术方案来实现：

一种移相全桥谐振逆变电路的混合集成电路，包括金属密封腔体和设置于金属密封腔体内部的集成电路板，所述的集成电路板上安装有移相谐振控制电路、栅驱动电路和SiC-MOSFET全桥电路，所述的移相谐振控制电路与栅驱动电路电连接，栅驱动电路与SiC-MOSFET全桥电路电连接；所述的移相谐振控制电路包括欠压保护电路、死区时间设置电路、软启动控制电路和频率设置电路。

所述的集成电路板由双层Al₂O₃基片、厚膜电阻、导带和元器件构成。

所述的移相谐振控制电路、栅驱动电路和SiC-MOSFET全桥电路通过厚膜混合集成的方式安装于集成电路板的双层Al₂O₃基片上。

所述的金属密封腔体采用BOX8025-9P金属全密封封装。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益的技术效果：

本实用新型提供的移相全桥谐振逆变电路的混合集成电路，由于将多个电路通过厚膜集成为一个集成电路，本电路采用软开关移相全桥变换技术，利用变压器漏感和开关元件上并联的谐振电容实现零电压开关，避免了电压、电流重叠的现象，可极大程度降低电压变换过程中开关元件的开关损耗，提高转换效率。该电路使得该集成电路具有转换效率高、耐温高、耐压高、稳定性高、体积小、可靠性高等优点。

耐高温：该器件采用电气隔离的金属全密封封装，具有较低的热阻，引脚与外壳绝缘，可直接安装在机架上，同时选用的是耐高温集成电路和工艺加工技术。

耐高压：选用1200V耐高压SiC-MOSFET管。

稳定性高：厚膜集成电路的优点是选用裸芯片集成在空腔体内，该器件采用电气隔离的金属全密封封装，具有较低的热阻，比分立器件的稳定性、可靠性要高，工艺要求更严格。

附图说明

图1是集成电路的电原理框图。

图2是集成电路的封装形式图一；

图3是集成电路的封装形式图二。

图4是第一个实施例连接图；

图5是图1实施例的输出波形图。

图6是集成电路的第二个实施例连接图。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本实用新型做进一步的详细说明，所述是对本实用新型的解释而不是限定。