[实用新型]一种晶圆可接受测试结构

权利要求书

1.一种晶圆可接受测试结构，位于晶圆切割道内，适于对多晶硅刻蚀残留的侦测，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和位于所述有源区之间的浅沟槽隔离区，其特征在于，所述有源区至少有两个，所述有源区的表面至少设有一个栅氧结构；靠近所述浅沟槽隔离区两侧的所述栅氧结构的表面以及所述浅沟槽隔离区表面沉积有至少两个多晶硅条，且所述多晶硅条之间设有间距。

2.根据权利要求1所述的晶圆可接受测试结构，其特征在于，所述栅氧结构均为长条状且相互平行，并与所述浅沟槽隔离区相平行。

3.根据权利要求1所述的晶圆可接受测试结构，其特征在于，所述多晶硅条均为长条状且相互平行，并与所述栅氧结构及所述浅沟槽隔离区均垂直。

4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆可接受测试结构，其特征在于，所述多晶硅条两端的表面均设有测试端。

5.根据权利要求4所述的晶圆可接受测试结构，其特征在于，所述测试端包括接地端和悬空端，所述接地端和所述悬空端位于不同的所述多晶硅条上。

6.根据权利要求5所述的晶圆可接受测试结构，其特征在于，所述接地端和所述悬空端之间通过电子束扫描测试电路的通和断。

7.根据权利要求1所述的晶圆可接受测试结构，其特征在于，所述半导体衬底为N型衬底或者P型衬底。

8.根据权利要求1所述的晶圆可接受测试结构，其特征在于，所述晶圆可接受测试结构中的器件与真实晶圆结构中器件的关键尺寸大小相同。