[实用新型]一种晶圆或玻璃传送装置有效
| 申请号： | 201621352874.4 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN206293418U | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘明郎;刘明芳 | 申请（专利权）人： | 上海馨韵电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201508 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 传送 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆或玻璃传送装置，其特征在于：包括胶质层、介质层及离型层；所述胶质层与离型层分别设置在介质层的两侧；所述胶质层与介质层之间设有粘合层；所述胶质层通过该粘合层连接介质层；所述介质层与离型层之间设有导电层；所述介质层通过该导电层连接离型层。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆或玻璃传送装置，其特征在于:所述胶质层是由长方体结构与正方体结构交叉组成的网状胶质层。
3.根据权利要求1或2所述的一种晶圆或玻璃传送装置，其特征在于:所述胶质层为硅胶层；其厚度为0.8mm。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆或玻璃传送装置，其特征在于:所述粘合层为胶水层；其厚度为0.01mm。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆或玻璃传送装置，其特征在于:所述介质层为铝箔层，其厚度为0.05mm。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆或玻璃传送装置，其特征在于:所述导电层内设有导电胶；所述导电胶的厚度为0.01mm。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆或玻璃传送装置，其特征在于:所述离型层包括离型膜；所述离型膜的厚度为0.12mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海馨韵电子科技有限公司，未经上海馨韵电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621352874.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
