[实用新型]一种晶圆测试结构有效
申请号: | 201621354110.9 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN206312896U | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 谢涛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 结构 | ||
1.一种晶圆测试结构,所述晶圆测试结构围绕在所述晶圆周围,其特征在于,所述晶圆测试结构包括:多组掺杂衬底,以及位于所述掺杂衬底上方的多组堆叠的金属层,所述堆叠的金属层之间通过顶层金属层和第二金属层进行顺次连接,第一金属层与所述掺杂衬底依次连接,所述第一金属层和第二金属层之间至少有一处断开连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试结构,其特征在于,所述堆叠的金属层为阶梯型链条结构。
3.根据权利要求1所述的晶圆测试结构,其特征在于,所述堆叠的金属层的组数大于等于2。
4.根据权利要求1所述的晶圆测试结构,其特征在于,堆叠的金属层之间及第一金属层与掺杂衬底之间均通过通孔连接。
5.根据权利要求4所述的晶圆测试结构,其特征在于,所述通孔中填充有导电金属。
6.根据权利要求5所述的晶圆测试结构,其特征在于,所述导电金属为铜金属、铝金属、或钨金属中的一种。
7.根据权利要求1所述的晶圆测试结构,其特征在于,所述掺杂衬底为重掺杂衬底。
8.根据权利要求7所述的晶圆测试结构,其特征在于,所述重掺杂衬底为P型重掺杂硅衬底、或N型重掺杂硅衬底。
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