[实用新型]一种晶圆测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体测试领域，特别是涉及一种晶圆测试结构。

背景技术

芯片集成封装(CPI：Chip Package Interaction)在40nm以下的先进制程研发阶段越来越重要，其中为了灵敏地探测到晶圆边缘分层(DED：die edge delamination)问题，现有技术会在晶圆边缘设计一种理想的测试结构，用来侦测因晶圆后段制程或封装厂封装导致的DED问题。

图1为现有的针对28nm CPI设计的一种晶圆损坏监测(DCM：Die Crack Monitor)结构，所述DCM结构位于第一保护环和第二保护环之间，并绕整个晶圆一周，用来侦测DED问题。如图1所示，现有的DCM结构包括多组堆叠的金属层11，所述堆叠的金属层11之间通过顶层金属层111和第一金属层112进行顺次连接形成环绕在晶圆周围的台阶型链条结构。当使用所述DCM结构进行测试时，如图2所示，通过对第一金属层112的首尾两端进行电性测试，当所述堆叠的金属层中某一金属层发生分层，第一金属层112的首尾两端的电性测试为开路，由此得出堆叠的金属层的某一金属层中存在分层；当所述晶圆的衬底2存在损伤时，图1所述的DCM结构则无法侦测到。

鉴于此，有必要设计一种新的晶圆测试结构用以解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆测试结构，解决了现有的DCM结构无法侦测到晶圆衬底损伤的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆测试结构，所述晶圆测试结构围绕在所述晶圆周围，包括：所述晶圆测试结构包括：多组掺杂衬底，以及位于所述掺杂衬底上方的多组堆叠的金属层，所述堆叠的金属层之间通过顶层金属层和第二金属层进行顺次连接，第一金属层与所述掺杂衬底依次连接，所述第一金属层和第二金属层之间至少有一处断开连接。

优选地，所述堆叠的金属层为阶梯型链条结构。

优选地，所述堆叠的金属层的组数大于等于2。

优选地，堆叠的金属层之间及第一金属层与掺杂衬底之间均通过通孔连接。

优选地，所述通孔中填充有导电金属。

优选地，所述导电金属为铜金属、铝金属、或钨金属中的一种。

优选地，所述掺杂衬底为重掺杂衬底。

优选地，所述重掺杂衬底为P型重掺杂硅衬底、或N型重掺杂硅衬底。

如上所述，本实用新型的一种晶圆测试结构，具有以下有益效果：本实用新型所述的晶圆测试结构，相较于现有的DCM结构，在不增加额外的结构和区域的情况下，实现了侦测晶圆金属层分层功能的同时，还实现了侦测晶圆衬底损伤的功能。

附图说明

图1显示为现有DCM结构的结构示意图。

图2显示为现有DCM结构测试时的示意图。

图3显示为本实用新型所述晶圆测试结构的结构示意图。

图4显示为本实用新型所述晶圆测试结构测试时的示意图。

图5显示为本实用新型所述晶圆测试结构测试金属层时的示意图。

图6显示为本实用新型所述晶圆测试结构测试衬底时的示意图。

元件标号说明

1DCM结构

11 堆叠的金属层

111顶层金属层

112第一金属层

2衬底

21 掺杂衬底

3晶圆测试结构

31 堆叠的金属层

311顶层金属层

312第二金属层

313第一金属层

33 通孔

34 第一终端

35 第二终端

36 第三终端

37 第四终端

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。