[实用新型]一种提高铝栅工艺击穿电压的结构有效
| 申请号： | 201621371032.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN206379354U | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 曹进伟;陈孟邦;乔世成;蔡荣怀;黄国华 | 申请（专利权）人： | 宗仁科技(平潭)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 350400 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 工艺 击穿 电压 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高铝栅工艺击穿电压的结构，包括PN结，所述PN结包括P型半导体和N型半导体，其特征在于，所述P型半导体和所述N型半导体进行隔离。
2.如权利要求1所述的提高铝栅工艺击穿电压的结构，其特征在于，所述P型半导体和所述N型半导体进行隔离具体为：
所述P型半导体和所述N型半导体两者分开，并具有预设距离的间隔。
3.如权利要求2所述的提高铝栅工艺击穿电压的结构，其特征在于，所述预设距离为1.5微米～2.5微米。
4.如权利要求1所述的提高铝栅工艺击穿电压的结构，其特征在于，所述P型半导体和所述N型半导体进行隔离具体为：
所述P型半导体和所述N型半导体之间设有预设长度的P阱或N型衬底。
5.如权利要求4所述的提高铝栅工艺击穿电压的结构，其特征在于，所述预设长度为1.5微米～2.5微米。
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