[实用新型]一种提高铝栅工艺击穿电压的结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体集成电路制造工艺技术领域，特别是涉及一种提高铝栅工艺击穿电压的结构。

背景技术

目前，铝栅工艺虽然在技术上相对落后，但由于其工艺简单(6～7个光刻层次)、成本低廉，因此在LED闪光灯、电子表、计算器等应用领域还是得到了广泛应用。

铝栅是采用AL/SI来做MOS器件的栅级，低压铝栅器件就是工作电压为1.5v～3v的铝栅器件。普通的铝栅工艺的击穿为N+和P+的结击穿，击穿电压约为6～7V。但在某些应用情况下，例如要在输入端加十几伏的电压，则现有工艺已不能满足需求了。虽然通过改变N+或P+的浓度也可提高击穿电压，但幅度有限，一般只可提升1～2V，远远不能满足需求；或是通过大幅度改变器件结构，但同时不可避免地增加了光刻层次，从而增加了生产成本。

综上所述，现有的铝栅工艺技术存在着击穿电压难以达到十几伏的问题。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种电源触发装置，旨在解决现有的铝栅工艺技术存在着击穿电压难以达到十几伏的问题。

本实用新型提供了一种提高铝栅工艺击穿电压的结构，包括PN结，所述PN结包括P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和所述N型半导体进行隔离。

本实用新型提供了一种提高铝栅工艺击穿电压的结构，包括PN结，所述PN结包括P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和所述N型半导体进行隔离。由此通过将PN结中的P型半导体和N型半导体进行隔离，实现了提高铝栅工艺击穿电压的效果，得到的击穿电压可达20V以上，解决了现有的铝栅工艺技术存在着击穿电压难以达到十几伏的问题。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种提高铝栅工艺击穿电压的结构的具体结构示意图；

图2A为现有技术涉及的标准NMOS结构的具体结构示意图；

图2B为本实用新型最优实施例提供的改进NMOS结构的具体结构示意图；

图3A为现有技术涉及的标准PMOS结构的具体结构示意图；

图3B为本实用新型第二实施例提供的改进PMOS结构的具体结构示意图；

图4A为现有技术涉及的标准N型衬底中的二极管的具体结构示意图；

图4B为本实用新型第三实施例提供的改进的N型衬底中的二极管的具体结构示意图；

图5A为现有技术涉及的标准P阱中的二极管的具体结构示意图；

图5B为本实用新型第四实施例提供的改进的P阱中的二极管的具体结构示意图。

图6为本实用新型第四实施例提供的P阱中N+和P+不同间距对应BV的数据示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型实施例提供的一种提高铝栅工艺的击穿电压的结构，其包括PN结，主要是将PN结中的P型半导体和N型半导体隔离，将P型半导体和N型半导体拉开一段距离，这样使得MOS的击穿不再发生在N+和P+的结，而是发生在P阱与N+之间或是N型衬底与P+之间，因P阱或N型衬底的浓度远低于P+或N+的浓度，P阱与N+之间或N型衬底与P+之间击穿电压就会远大于N+和P+之间的击穿电压(6～7V)，得到的击穿电压一般都可达20V以上。

图1示出了本实用新型实施例提供的一种提高铝栅工艺击穿电压的结构的具体结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型实施例相关的部分，详述如下：

上述一种提高铝栅工艺击穿电压的结构，包括PN结10，所述PN结10包括P型半导体101和N型半导体102，所述P型半导体101和所述N型半导体102进行隔离。

作为本实用新型一实施例，所述P型半导体101和所述N型半导体102进行隔离具体为：

将所述P型半导体101和所述N型半导体102拉开预设距离，即是所述P型半导体101和所述N型半导体102两者分开，并具有预设距离的间隔。其中，所述P型半导体101和所述N型半导体102进行隔离是将所述P型半导体101和所述N型半导体102彻底的分开，不同于现有技术中的“将P+和N+进行隔离是将P+和N+相互错开，但是P+和N+还是有一小部分的公共连接处”。

当然，所述P型半导体101和所述N型半导体102进行隔离也可具体为：