[实用新型]基于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器有效
| 申请号： | 201621371111.4 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN206237376U | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 胡晓慧;杭国强;杨旸;章丹艳;周选昌;刘承成 | 申请（专利权）人： | 浙江大学城市学院 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012;H03K3/356 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司33101 | 代理人： | 张羽振 |
| 地址： | 310015*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 mos 差分型单 边沿 触发器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器，其特征在于：包括输入控制结构、差分结构的主触发器和差分结构的从触发器；
所述输入控制结构由组合逻辑电路构成，异或门XOR1构成F1输入结构，异或门XOR2和非门I1构成F2输入结构；XOR1的输出为F1；XOR2的输出为I1的输入，I1的输出为F2；
所述主触发器由构成差分结构的两个PMOS管m3和m4以及两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2构成；
所述从触发器由构成差分结构的两个PMOS管m7和m8，两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6以及两个反相器INV1和INV2构成；
所述PMOS管m3、m4、m7和m8源级接工作电压VDD，所述三输入n型浮栅MOS管m1、m2、m5和m6的源级接地；
所述主触发器中构成差分结构的两个PMOS管m3和m4的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2的漏极连接，并且产生主触发器的输出和x；所述从触发器中构成差分结构的两个PMOS管m7和m8的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6的漏极连接，并通过两个反相器INV1和INV2连接到输出端Q和
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学城市学院，未经浙江大学城市学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621371111.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
