[实用新型]一种NANDFlash控制器的控制装置

权利要求书

1.一种NAND Flash控制器的控制装置，其特征在于，包括定义层模块、解析层模块、物理实现层模块、NAND Flash接口模块，所述定义层模块、解析层模块、物理实现层模块、NAND Flash接口模块依次相连，所有模块均采用全数字逻辑电路实现；

所述定义层模块：用于实现定义NAND Flash控制器操作NAND Flash颗粒的具体时序指令，配置NAND Flash接口寄存器、ECC纠错能力寄存器、通道数寄存器、等待时间寄存器、编程数据寄存器、CE寄存器、CLE寄存器、ALE寄存器、WE寄存器、RE寄存器、CLK寄存器、DQS寄存器；这一系列寄存器组合，完成NAND Flash控制器需要控制参数及控制NAND Flash颗粒操作时序；所述定义层模块与解析层模块相连；

所述解析层模块：用于解析定义层定义的一系列NAND Flash控制器寄存器组，将解析后的指令传送至物理实现层模块；

所述解析层模块由命令译码器电路完成对不同的定义寄存器具体控制信号解析操作；

所述物理实现层模块：用于实现译码出来的具体寄存器指令，送至不同的模块，根据配置的寄存器接口实现访问NAND Flash颗粒的具体时序，传送至NAND Flash接口模块；

所述物理实现层模块包括ECC编解码驱动电路、控制状态机电路、底层接口时序实现电路；

所述ECC编解码驱动电路用于接收命令译码器电路对定义的ECC纠错能力寄存器，根据配置纠错能力值，ECC编解码驱动电路根据不同的纠错能力值，调整校验码长度提供至LDPC编解码模块；

所述控制状态机电路用于根据解析寄存器组合的一系列指令，不同的操作指令分别传送给控制状态机电路，该电路实现不同时序功能的状态控制；控制状态机电路根据不同时序接口信号，通过一系列子状态机电路产生所配置的一系列访问NAND Flash颗粒时序控制信号；控制状态机状态机电路将所分别产生的一系列访问NAND Flash操作的时序信号一一送至底层接口时序实现电路，底层接口时序实现电路模块按照指令进行CE、ALE、CLE、DQS、CLK、WE、RE不同命令操作时序的组合形成访问NAND Flash接口的整体时序，传送至NAND Flash接口模块，并且配置操作NAND Flash颗粒的命令CLE为读取，则最终通过物理实现层产生的时序图；按照该时序完成NAND Flash颗粒的数据读取操作；

所述NAND Flash接口模块将组合好后访问颗粒时序提供至NAND Flash存储器，按照标准的操作时序驱动NAND Flash颗粒，完成NAND Flash存储器的读取、编程、擦除操作。

2.如权利要求1所述的一种NAND Flash控制器的控制装置，其特征在于，所述物理实现层模块包括ECC编解码驱动电路、控制状态机电路、底层接口时序实现电路；ECC编解码驱动电路、控制状态机电路、底层接口时序实现电路分别与解析层模块相连接，且控制状态机电路、底层接口时序实现电路相互连接。