[实用新型]一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板有效
申请号: | 201621383828.0 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN206328462U | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 赵俊华 | 申请(专利权)人: | 沈阳聚智真空设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
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地址: | 110000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 等离子体 增强 化学 沉积 进气电 极板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种等离子体增强新型电极板技术领域,特别是涉及一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板。
背景技术
进气匀气装置和产生等离子体的电极板,对等离子体增强化学气相沉积pecvd设备的薄膜沉积质量和效率至关重要,现有的等离子体电极板存在以下问题:
1、电极板的多重密封,以及安装维修不便捷;
2、进气系统的绝缘干扰问题,影响质量流量控制器的精确度,造成进气不稳定;
3、射频电源引入导线起辉发光,影响电极板喷淋头的辉光,造成辉光区不稳定,影响电离效果;
4、喷淋头的进气腔出气不均匀。
实用新型内容
针对上述问题中存在的不足之处,本实用新型提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板,使其达到产生均匀的气场辉光区和高密度均匀稳定等离子体,从而使PECVD化学气相沉积设备成膜质量更高,更稳定。
为了解决上述问题,本实用新型提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板,其中,包括喷淋头电极板结构、电极杆结构和安装法兰,所述电极杆结构的顶端与所述喷淋头电极板结构连接,所述电极板结构上设置有安装法兰,所述喷淋头电极板结构包括喷淋头电极板、绝缘陶瓷和喷淋头屏蔽罩,所述喷淋头屏蔽罩设置在所述喷淋头电极板的外侧,所述喷淋头电极板与所述喷淋头屏蔽罩之间设置有绝缘陶瓷,所述电极杆结构包括电极杆和电极杆屏蔽套,所述电极杆屏蔽套设置在所述电极杆的外侧,所述电极杆的底部连接有绝缘陶瓷气路接头,所述绝缘陶瓷气路接头与外部进气管连接。
优选的,所述喷淋头电极板由双层不锈钢匀气腔组成,所述不锈钢匀气腔上部均匀密布直径1毫米的匀气板,所述匀气板与所述电极杆9直接连接,所述不锈钢气腔下部设置有匀气锁紧母。
优选的,所述电极杆的下端设置有保护罩,所述保护罩位于所述安装法兰的底部,所述保护罩上设置有电极插座,所述电极插座通过电极引线与所述电极杆连接,所述电极杆通过所述电极插座与外部的射频电源连接。
优选的,还包括固定套管,所述固定套管设置在所述电极杆屏蔽套的外侧,所述电极杆屏蔽罩通过所述固定套管连接到所述安装法兰上。
优选的,所述安装法兰通过螺钉结构连接在所述电极杆上,所述螺钉结构与所述电极杆屏蔽套之间设置有密封圈。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
本实用新型的喷淋头设有匀气头,可以二次匀气,使气体匀气方式更均匀,安装拆卸更便捷。同时改进电源引线连接方式,采用直连屏蔽式连接法,减小了功率损耗,只使喷淋头电极板一处起辉电离,促进成膜的稳定性,均匀性,提高成膜质量。
附图说明
图1是本实用新型的实施例结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图与实例对本实用新型作进一步详细说明,但所举实例不作为对本实用新型的限定。
如图1所示,本实用新型的实施例包括喷淋头电极板结构、电极杆结构和安装法兰6,电极杆结构的顶端与喷淋头电极板结构连接,电极板结构上设置有安装法兰6,喷淋头电极板结构包括喷淋头电极板1、绝缘陶瓷3和喷淋头屏蔽罩4,喷淋头屏蔽罩4设置在喷淋头电极板1的外侧,喷淋头电极板1与喷淋头屏蔽罩4之间设置有绝缘陶瓷3,电极杆结构包括电极杆13和电极杆屏蔽套5,电极杆屏蔽套5设置在电极杆13的外侧,电极杆13的底部连接有绝缘陶瓷气路接头9,绝缘陶瓷气路接头9与外部进气管连接。喷淋头电极板1由双层不锈钢匀气腔组成,不锈钢匀气腔上部均匀密布直径1毫米的匀气板,匀气板与电极杆13直接连接,不锈钢气腔下部设置有匀气锁紧母2。
电极杆13的下端设置有保护罩11,保护罩11位于安装法兰6的底部,保护罩11上设置有电极插座8,电极插座8通过电极引线10与电极杆13连接,电极杆13通过电极插座8与外部的射频电源连接。还包括固定套管12,固定套管12设置在电极杆屏蔽套5的外侧,电极杆屏蔽罩5通过固定套管12连接到安装法兰6上。安装法兰6通过螺钉结构连接在电极杆13上,螺钉结构与电极杆屏蔽套5之间设置有密封圈7。
本实施例中,喷淋头电极板1由双层不锈钢匀气腔组成,匀气腔上部均匀密布直径1毫米的匀气板,匀气板与电极杆9直接连接,底部有绝缘气路接头9与外部进气管连接,在喷淋头电极板1距离3毫米出安装有喷淋头屏蔽罩4,以防止其他部件起辉(除喷淋头电极板外)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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