[实用新型]功率开关的过流检测电路有效

专利信息
申请号: 201621395798.5 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN206348384U 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 王石武 申请(专利权)人: 深圳市瑞之辰科技有限公司
主分类号: G01R19/165 分类号: G01R19/165;G01R31/327
代理公司: 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙)44343 代理人: 王杰辉
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功率 开关 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种功率开关的过流检测电路,其特征在于,包括采样电路单元、除法电路单元和输出信号处理单元;

所述采样电路单元采集功率开关漏极的电压,将其转换为采样电流;

所述除法电路单元获取参考电流,并对参考电流进行预设的除法处理,得到修正后的基准电流;

所述输出信号处理单元将所述采样电流和基准电流进行比较,并根据比较结果输出控制所述功率开关的开和关的控制信号;

所述输出信号处理单元包括施密特触发器和反相器,所述施密特触发器包括正反馈比较器,所述正反馈比较器的正极输入端通过第二电阻连接所述除法电路单元和采样电路单元;所述正反馈比较器的负极输入端通过第三电阻接地;所述正反馈比较器的输出端连接第四电阻的一端,第四电阻的另一端连接所述反相器,第四电阻的另一端还通过串联的第一稳压管和第二稳压管接地,以及通过第五电阻连接所述正反馈比较器的正极输入端。

2.根据权利要求1所述的功率开关的过流检测电路,其特征在于,所述采样电路单元包括第一PMOS管和第二PMOS管,

所述第一PMOS管的源端连接VDD电压源,栅端与第二PMOS管的栅端连接,漏端连接所述除法电路单元;

所述第二PMOS管的源端连接功率开关的漏端,栅端和漏端短接后连接所述除法电路单元。

3.根据权利要求2所述的功率开关的过流检测电路,其特征在于,所述除法电路单元包括除法电路模块,该除法电路模块包括第一除法电路和第二除法电路,第一除法电路与第二除法电路结构相同,第一除法电路的一端连接所述VDD电压源,另一端连接所述第二除法电路;

所述第一除法电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、电流输入器、电流输出器和运放器;

所述电流输入器的一端连接所述第三PMOS管的漏端,另一端接地;

所述第三PMOS管的栅端接地,源端接所述VDD电压源,漏端接入运放器的正输入端;

所述第四PMOS管的栅端连接所述运放器的输出端,源端接入运放器的负输入端,漏极分别连接所述第一NMOS管的栅端和漏端;

所述第一电阻的一端连接所述VDD电压源,另一端与所述第四PMOS管的源端相连;

所述第一NMOS管的源端接地,栅端与第二NMOS管的栅端相连;

所述第二NMOS管的源端接地,漏端与所述电流输出器的一端连接,电流输出器的另一端连接所述第二除法电路的第三PMOS管的漏极;

所述第二除法电路的电源输出器输出所述基准电流。

4.根据权利要求3所述的功率开关的过流检测电路,其特征在于,所述除法电路单元还包括镜像电路,该镜像电路包括第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管,

所述第三NMOS管的栅端和漏端短接并与所述除法电路连接,源端接地;所述第四NMOS管的漏端与所述第一PMOS管的漏端短接后连接所述输出信号处理单元,源端接地;所述第五NMOS管的漏端与所述第二PMOS管的漏端短接,源端接地;

所述第三NMOS管的栅端、第四NMOS管的栅端和第五NMOS管的栅端相互短接。

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