[实用新型]高性能倒装COB封装结构有效
申请号: | 201621403864.9 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN206349351U | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 霍文旭;马丽诗;王晓梦;孙婷 | 申请(专利权)人: | 广州硅能照明有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/528;H01L25/075;H01L33/48;H01L21/56 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 | 代理人: | 邵穗娟,汤喜友 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 性能 倒装 cob 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及照明技术,尤其涉及高性能倒装COB封装结构。
背景技术
随着LED(Light Emitting Diode,发光二极管)技术的发展,其在照明行业中广泛应用的同时,市场对LED的亮度、可靠性、安装便捷性等提出更高要求,这样COB(Chip On Board,芯片集成到基板)的封装形式便应运而生。
目前比较成熟的是正装结构的COB,将正装芯片固定在基板上,使用金线(或合金线)完成芯片间和芯片与基板线路间的电气连接,再涂覆含有荧光粉的荧光胶合成需要的光色及保护内部器件,如图1和图2所示,这种结构的COB缺点非常明显:容易断线死灯、耐温低、功率密度低、固晶(将芯片贴装在基板上)工艺耗时长等。
传统的倒装COB封装结构也存在一些缺点,如基板绝缘层导热率低,COB中各芯片功率不均匀,芯片焊接后空洞率高,芯片与基板焊接层偏厚,芯片正常工作时结温偏高等。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供高性能倒装COB封装结构,其能解决现有COB结构的可靠性低的问题。
本实用新型的目的采用以下技术方案实现:
高性能倒装COB封装结构,包括COB基板和若干个倒装LED芯片;COB基板包括基材层、上绝缘层、线路层、镀金层和阻焊层;基材层、上绝缘层和线路层从下至上依次设置,线路层的顶面包括第一区域和第二区域,所述阻焊层设于线路层的第二区域上,镀金层设于线路层的第一区域上;镀金层上设有用于与倒装LED芯片的引脚连接的芯片焊接电极和用于和外接电路连接的外接导线焊接电极;
线路层包括若干个子线路层,两个相邻的子线路层之间通过倒装LED芯片电气连接,两个相邻的倒装LED芯片通过子线路层连接。
作为优选,若干个倒装LED芯片进行串联形成芯片支路,若干个芯片支路并联。
作为优选,COB基板还包括设于基材层的底面的下绝缘层。
作为优选,COB基板还包括设于上绝缘层和线路层之间的高反射导热绝缘层。
作为优选,所述COB基板和倒装LED芯片的顶面设有围坝圈,围坝圈内填充有覆盖倒装LED芯片顶面的荧光胶。
相比现有技术,本实用新型的有益效果在于:通过倒装COB封装结构无金线,避免常规COB中焊接线断裂导致产品失效的风险;以及在同样芯片面积、同样基板尺寸条件下,可以比常规COB多过载50%驱动使用,光效高、性能稳定。
附图说明
图1为现有的正装结构的COB的俯视图;
图2为现有的正装结构的COB的纵截面图;
图3为本实用新型的COB基板的纵截面图;
图4为本实用新型的高性能倒装COB封装结构的纵截面图;
图5为本实用新型的高性能倒装COB封装结构的俯视图;
图6为本实用新型的高性能倒装COB封装结构的A区域的俯视图。
图中:001、下绝缘层;002、上绝缘层;01、基材层;02、导热绝缘层;03、线路层;04、阻焊层;05、倒装LED芯片;051、引脚;06、焊接材料;07、围坝圈;08、荧光胶。
具体实施方式
下面,结合附图以及具体实施方式,对本实用新型做进一步描述:
如图3至图6所示,高性能倒装COB封装结构,包括COB基板和若干个倒装LED芯片05;
COB基板包括基材层01、上绝缘层002、线路层03、镀金层(图未示)和阻焊层04;基材层01、上绝缘层002和线路层03从下至上依次设置,线路层03的顶面包括第一区域和第二区域,第一区域为需要电气连接的区域,第二区域为需要电气绝缘的区域;所述阻焊层04设于线路层03的第二区域上,镀金层设于线路层03的第一区域上,镀金层为焊盘层。
所述镀金层上设有芯片焊接电极和外接导线焊接电极,所述芯片焊接电极用于和若干个倒装LED芯片05的引脚051对应连接;芯片焊接电极的横截面面积和倒装LED芯片05的引脚051的横截面面积的面积比为0.7-1.3;进一步地,若干个倒装LED芯片05的引脚051均通过焊接材料06和芯片焊接电极连接。
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