[实用新型]磁控溅射镀膜源及其装置

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及材料沉积技术领域，尤其涉及磁控溅射镀膜源及其装置。

【背景技术】

磁控溅射装置作为一种镀膜装置已被广泛应用于各种电子、装饰等镀膜领域，其具有镀膜速率快、无污染等优点。

目前在半导体、平板显示屏、传感器等制造业中使用的磁控溅射镀膜源主要有平面型和柱状旋转型。在通常的镀膜过程中，等离子区会产生过热电子或其它负离子，平面型和柱状旋转型磁控溅射镀膜源常会使过热电子或其它负离子轰击到被镀工件的表面，使得工件和所镀薄膜的工艺温度过高。

在实际应用中，有较多种类的工件材料(如高分子)，或者前道工序中已经制备好的器件不能承受过高的工艺温度。因此，上述常规的磁控溅射镀膜装置常常会限制器件设计或制造时工艺的选择。

【实用新型内容】

为克服现有薄膜的工艺温度过高的问题，本实用新型提供一种磁控溅射镀膜源及其装置。

本实用新型解决技术问题的技术方案是提供一种磁控溅射镀膜源，其包括相对设置的位于工件同侧的柱形第一镀膜组件，第二镀膜组件和分别设置于其内部的磁力产生件，所述第一镀膜组件中心轴线与第二镀膜组件中心轴线平行且相对于工件等高，在第一镀膜组件内的磁力产生件朝向其中心轴线的为第一磁极，在第二镀膜组件内的磁力产生件朝向其中心轴线的为第二磁极，所述第一磁极与第二磁极相反。

优选地，所述每一镀膜组件包括多个磁力产生件，多个磁力产生件朝向该镀膜组件的中心轴线的极性相同，且形成平行于该镀膜组件中心轴线的两排。

优选地，所述每一镀膜组件包括多个磁力产生件，多个磁力产生件朝向该镀膜组件的中心轴线的极性相同，且多个磁力产生件形成闭合环状体或者每一镀膜组件内的磁力产生件为一个环状体磁力产生件。

优选地，所述每一镀膜组件内的环状体的中心轴线与镀膜组件的中心轴线垂直。

优选地，所述第一镀膜组件内的磁力产生件设置于靠近第二镀膜组件一侧区域，第二镀膜组件内的磁力产生件设置于靠近第一镀膜组件一侧区域。

优选地，所述每一镀膜组件包括溅射靶座，所述磁力产生件设置于溅射靶座内，所述磁力产生件不转动，所述溅射靶座可绕镀膜组件的中心轴线旋转。

优选地，所述每一镀膜组件径向横截面形状为椭圆形或多边形。

本实用新型解决技术问题的另一技术方案是提供磁控溅射镀膜装置，其包括如上所述磁控溅射镀膜源。

优选地，所述磁控溅射镀膜装置包括多个磁控溅射镀膜源及载物台，所述多个磁控溅射镀膜源设置于载物台的同一侧，所述载物台可以相对镀膜组件运动，且运动方向垂直于多个镀膜组件的中心轴线。

优选地，所述磁控溅射镀膜装置还包括辅助电极，所述辅助电极设置于磁控溅射镀膜源外侧。

与现有技术相比，本实用新型磁控溅射镀膜源具有以下优点：

所述磁控溅射镀膜装置采用上述磁控溅射镀膜源，能使第一镀膜组件内的磁力产生件产生的磁力线跨越到第二镀膜组件，能够在镀膜过程中，控制过热的电子或其他携带能量的负离子被磁场束缚在两个镀膜组件之间，从而大大减少轰击工件的机会，从而能有效地抑制工艺温度上升，以控制反应温度小于等于100℃。

【附图说明】

图1是本实用新型磁控溅射镀膜装置结构示意图，磁控溅射镀膜装置包括磁控溅射镀膜源。

图2是图1中磁控溅射镀膜源配合工件的主视结构示意图。

图3是磁控溅射镀膜源的的一对镀膜组件立体结构示意图。

图3a是本实用新型一对镀膜组件的中心轴线所在平面A与工件位置关系的第一变形结构示意图。

图3b是本实用新型一对镀膜组件的中心轴线所在平面A与工件位置关系的第二变形结构示意图。

图3c是本实用新型一对镀膜组件的中心轴线所在平面A与工件位置关系的第二变形结构示意图。

图3d是图3中磁控溅射镀膜源的磁力产生件放大示意图.

图4是本实用新型磁控溅射镀膜装置第一变形结构示意图。

图5a是本实用新型磁控溅射镀膜装置第二变形结构示意图。

图5b是本实用新型磁控溅射镀膜装置第三变形结构示意图。

图6是本实用新型磁控溅射镀膜方法的工艺流程示意图。

【具体实施方式】

为了使本实用新型的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。