[实用新型]一种电极埋入式单层片式瓷介电容器有效
| 申请号： | 201621455521.7 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN206340447U | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 曹志学;黄俭帮;彭小丽;吴晓东 | 申请（专利权）人： | 成都宏明电子科大新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/228 |
| 代理公司： | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙)51217 | 代理人： | 薛波 |
| 地址： | 610199 四川省成都市成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 埋入 单层 片式瓷介 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.一种电极埋入式单层片式瓷介电容器，包括陶瓷介质层(1)，陶瓷介质层(1)上表面附着有第一金端电极层(2)，陶瓷介质层(1)下表面附着有第二金端电极层(3)，其特征是：陶瓷介质层(1)内部埋有平行分布的第一内电极层(4)和第二内电极层(5)，陶瓷介质层(1)内设有第一连接孔(6)和第二连接孔(7)，第一连接孔(6)一端与第一金端电极层(2)导通，第一连接孔(6)另一端与第一内电极层(4)导通，第二连接孔(7)一端与第二金端电极层(3)导通，第二连接孔(7)另一端与第二内电极层(5)导通，第一连接孔(6)和第二连接孔(7)内填有金属介质。
2.根据权利要求1所述的电极埋入式单层片式瓷介电容器，其特征是：所述的第一金端电极层(2)、第二金端电极层(3)、第一内电极层(4)、第二内电极层(5)相互之间平行分布。
3.根据权利要求1所述的电极埋入式单层片式瓷介电容器，其特征是：所述的第一连接孔(6)与第一内电极层(4)垂直分布，第二连接孔(7)与第二内电极层(5)垂直分布。
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