[实用新型]一种电荷泵和电荷泵电路有效

专利信息
申请号: 201621469141.9 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN206686078U 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 方海彬;刘铭 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 代理人: 苏培华
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电荷 电路
【权利要求书】:

1.一种电荷泵,其特征在于,包括依次连接的n级倍压模块,n为大于或等于2的整数,所述倍压模块包括第一电容和第二电容,所述倍压模块还包括:

第一双阱NMOS管和第二双阱NMOS管,当所述倍压模块为第1级倍压模块时,所述第一双阱NMOS管的漏端和所述第二双阱NMOS管的漏端分别与电荷泵的输入电压提供端相连,当所述倍压模块不为所述第1级倍压模块时,所述第一双阱NMOS管的漏端和所述第二双阱NMOS管的漏端分别与前级倍压模块的输出端相连;

第一PMOS管,所述第一PMOS管的漏端与所述第一双阱NMOS管的源端相连,所述第一PMOS管的栅端与所述第一双阱NMOS管的栅端相连,所述第一PMOS管的漏端与所述第一双阱NMOS管的源端之间具有第一节点,所述第一节点与所述第一电容相连,所述第一PMOS管的栅端与所述第一双阱NMOS管的栅端之间具有第二节点;

第二PMOS管,所述第二PMOS管的漏端与所述第二双阱NMOS管的源端相连,所述第二PMOS管的栅端与所述第二双阱NMOS管的栅端相连,所述第二PMOS管的漏端与所述第二双阱NMOS管的源端之间具有第三节点,所述第三节点分别与所述第二电容和所述第二节点相连,所述第二PMOS管的栅端与所述第二双阱NMOS管的栅端之间具有第四节点,所述第四节点与所述第一节点相连,所述第二PMOS管的源端与所述第一PMOS管的源端相连,所述第二PMOS管的源端与所述第一PMOS管的源端作为所述倍压模块的输出端。

2.根据权利要求1所述的电荷泵,其特征在于,当所述倍压模块为第m级倍压模块时,m大于1且m小于或等于n,所述倍压模块还包括:

第一电源转换单元,所述第一电源转换单元的输入端接收第一时钟信号,所述第一电源转换单元的电源端与第m-1级倍压模块中的第一节点相连,所述第一电源转换单元的输出端与所述第一电容相连,所述第一电源转换单元用于输出第一电压信号,所述第一电压信号的最大电压为所述输入电压提供端提供的输入电压的m倍;

第二电源转换单元,所述第二电源转换单元的输入端接收第二时钟信号,所述第二电源转换单元的电源端与所述第m-1级倍压模块中的第三节点相连,所述第二电源转换单元的输出端与所述第二电容相连,所述第二电源转换单元用于输出第二电压信号,所述第二电压信号的最大电压为所述输入电压提供端提供的输入电压的m倍;所述第二时钟信号和所述第一时钟信号互为差分时钟信号。

3.根据权利要求2所述的电荷泵,其特征在于,所述第一电源转换单元包括:

第三PMOS管,所述第三PMOS管的源端与所述第m-1级倍压模块中的第一节点相连;

第四PMOS管,所述第四PMOS管的源端与所述第m-1级倍压模块中的第一节点相连;

第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅端接收所述第一时钟信号,所述第一NMOS管的源端接地,所述第一NMOS管的漏端与所述第三PMOS管的漏端相连,所述第一NMOS管的漏端与所述第三PMOS管的漏端之间具有第五节点,所述第五节点与所述第四PMOS管的栅端相连;

第二NMOS管,所述第二NMOS管的源端接地,所述第二NMOS管的漏端与所述第四PMOS管的漏端相连,所述第二NMOS管的漏端与所述第四PMOS管的漏端之间具有第六节点,所述第六节点与所述第三PMOS管的栅端相连,所述第六节点作为所述第一电源转换单元的输出端;

第一反相器,所述第一反相器的输入端接收所述第一时钟信号,所述第一反相器的电源端与电源相连,所述第一反相器的输出端与所述第二NMOS管的栅端相连,所述第一NMOS管的栅端和所述第一反相器的输入端作为所述第一电源转换单元的输入端。

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