[实用新型]一种电荷泵和电荷泵电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，特别是涉及一种电荷泵和一种电荷泵电路。

背景技术

在一个系统中，通常会包括不同功能的IC(集成电路)，有些IC会需要一个比外部电源更高的电压才能正常工作，因此，通常系统会使用电荷泵电路来将外部电源的电压提升至这些IC需要的电压，以使这些IC能够正常工作。

现有技术中，当电荷泵电路中的电荷泵工作时，电荷泵内倍压模块的NMOS管存在衬偏效应，且当电荷泵输出电压越高时，NMOS管的开启电压越大，因此需要更高的开启电压来开启NMOS管，这导致现有技术中的电荷泵的电源功耗很高。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型实施例的目的在于提供一种电荷泵和一种电荷泵电路，以解决现有技术中电荷泵的电源功耗高的问题。

为了解决上述问题，本实用新型实施例公开了一种电荷泵，包括依次连接的n级倍压模块，n为大于或等于2的整数，所述倍压模块包括第一电容和第二电容，所述倍压模块还包括：第一双阱NMOS管和第二双阱NMOS管，当所述倍压模块为第1级倍压模块时，所述第一双阱NMOS管的漏端和所述第二双阱NMOS管的漏端分别与电荷泵的输入电压提供端相连，当所述倍压模块不为所述第1级倍压模块时，所述第一双阱NMOS管的漏端和所述第二双阱NMOS管的漏端分别与前级倍压模块的输出端相连；第一PMOS管，所述第一PMOS管的漏端与所述第一双阱NMOS管的源端相连，所述第一PMOS管的栅端与所述第一双阱NMOS管的栅端相连，所述第一PMOS管的漏端与所述第一双阱NMOS管的源端之间具有第一节点，所述第一节点与所述第一电容相连，所述第一PMOS管的栅端与所述第一双阱NMOS管的栅端之间具有第二节点；第二PMOS管，所述第二PMOS管的漏端与所述第二双阱NMOS管的源端相连，所述第二PMOS管的栅端与所述第二双阱NMOS管的栅端相连，所述第二PMOS管的漏端与所述第二双阱NMOS管的源端之间具有第三节点，所述第三节点分别与所述第二电容和所述第二节点相连，所述第二PMOS管的栅端与所述第二双阱NMOS管的栅端之间具有第四节点，所述第四节点与所述第一节点相连，所述第二PMOS管的源端与所述第一PMOS管的源端相连，所述第二PMOS管的源端与所述第一PMOS管的源端作为所述倍压模块的输出端。

可选地，当所述倍压模块为第m级倍压模块时，m大于1且m小于或等于n，所述倍压模块还包括：第一电源转换单元，所述第一电源转换单元的输入端接收第一时钟信号，所述第一电源转换单元的电源端与第m-1级倍压模块中的第一节点相连，所述第一电源转换单元的输出端与所述第一电容相连，所述第一电源转换单元用于输出第一电压信号，所述第一电压信号的最大电压为所述输入电压提供端提供的输入电压的m倍；第二电源转换单元，所述第二电源转换单元的输入端接收第二时钟信号，所述第二电源转换单元的电源端与所述第m-1级倍压模块中的第三节点相连，所述第二电源转换单元的输出端与所述第二电容相连，所述第二电源转换单元用于输出第二电压信号，所述第二电压信号的最大电压为所述输入电压提供端提供的输入电压的m倍；所述第二时钟信号和所述第一时钟信号互为差分时钟信号。

可选地，所述第一电源转换单元包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源端与所述第m-1级倍压模块中的第一节点相连；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源端与所述第m-1级倍压模块中的第一节点相连；第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅端接收所述第一时钟信号，所述第一NMOS管的源端接地，所述第一NMOS管的漏端与所述第三PMOS管的漏端相连，所述第一NMOS管的漏端与所述第三PMOS管的漏端之间具有第五节点，所述第五节点与所述第四PMOS管的栅端相连；第二NMOS管，所述第二NMOS管的源端接地，所述第二NMOS管的漏端与所述第四PMOS管的漏端相连，所述第二NMOS管的漏端与所述第四PMOS管的漏端之间具有第六节点，所述第六节点与所述第三PMOS管的栅端相连，所述第六节点作为所述第一电源转换单元的输出端；第一反相器，所述第一反相器的输入端接收所述第一时钟信号，所述第一反相器的电源端与电源相连，所述第一反相器的输出端与所述第二NMOS管的栅端相连，所述第一NMOS管的栅端和所述第一反相器的输入端作为所述第一电源转换单元的输入端。