[发明专利]光学衰减器及其制造方法

权利要求书

1.一种光学衰减器，包括：

具有纵向轴线的通道，所述通道包括第一部分，所述第一部分与第二部分接触以在其间限定小平面，其中所述第二部分包括掺杂半导体材料，所述小平面至少部分地相对于所述纵向轴线以非垂直角度定向，其中从所述小平面开始，所述通道的光学性质沿其长度连续变化，所述光学性质是所述通道的掺杂剂浓度和吸光性质中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述小平面包括相对于所述纵向轴线以非垂直角度定向的平面。

3.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述第一部分包括具有低于所述第二部分的掺杂剂浓度的掺杂半导体材料。

4.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述掺杂半导体材料包括选自由硼、砷、磷和镓组成的组的掺杂剂。

5.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述掺杂半导体材料包括介于每立方厘米10¹⁷个粒子与2×10¹⁸个粒子之间的掺杂剂浓度。

6.根据权利要求5所述的光学衰减器，其中所述掺杂剂的浓度在所述纵向轴线的方向沿着所述通道改变。

7.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述第一部分和所述第二部分由半导体材料的相连部分形成，且其中所述第二部分对应于半导体材料的所述部分的掺杂区域。

8.根据权利要求7所述的光学衰减器，其中所述半导体材料选自由金刚石、硅、锗、碳化硅和硅锗组成的组。

9.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述小平面至少部分地相对于所述纵向轴线以介于20度与60度之间的角度定向。

10.根据权利要求3所述的光学衰减器，其中所述通道进一步包括第三部分，所述第三部分与所述第二部分接触以在其间限定第二小平面，其中所述第二小平面至少部分地相对于所述纵向轴线以第二非垂直角度定向。

11.根据权利要求10所述的光学衰减器，其中所述第一部分包括半导体材料，且所述第二部分和所述第三部分包括掺杂半导体材料，所述第三部分具有高于所述第二部分的掺杂剂浓度。

12.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述第一部分和所述第二部分包括半导体材料。

13.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述第二部分包括弯曲段。

14.根据权利要求13所述的光学衰减器，其中所述弯曲段是绝热的。

15.根据权利要求13所述的光学衰减器，其中所述弯曲段是渐缩的。

16.根据权利要求13所述的光学衰减器，其中所述弯曲段具有曲率半径，所述曲率半径配置成将光改向使其穿过所述弯曲段的侧壁离开所述通道。

17.根据权利要求1所述的光学衰减器，其中所述通道进一步包括渐缩段。

18.一种用于制造光学衰减器的方法，包括：

选择性地蚀刻半导体晶片以限定通道；以及

向所述通道的第二部分中植入掺杂剂以在所述第二部分与第一部分之间限定小平面，所述小平面至少部分地相对于所述通道的纵向轴线以非垂直角度定向，其中植入掺杂剂同样是：从所述小平面开始，沿所述通道的长度以连续的方式改变所述通道的掺杂剂浓度。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：在选择性地蚀刻所述半导体晶片之前，施用图案至所述半导体晶片以覆盖所述通道。