[发明专利]试样支撑体和试样支撑体的制造方法

权利要求书

1.一种试样支撑体，其特征在于，

是表面辅助激光解吸电离法用的试样支撑体，

具有：

设置有从一个面贯通到另一个面的多个贯通孔的基板；

由导电性材料构成且至少覆盖所述一个面上未设置有所述贯通孔的部分的导电层；和

安装于所述基板的外缘部的框体，

所述贯通孔的宽度为1～700nm，

所述基板的厚度为1～50μm，

所述框体具有与所述基板大致同等的热膨胀系数。

2.如权利要求1所述的试样支撑体，其特征在于，

所述导电层至少覆盖所述一个面上未设置有所述贯通孔的部分和所述框体的表面。

3.如权利要求1所述的试样支撑体，其特征在于，

所述框体具有延伸至比所述基板的外缘更外侧的部分，

在所述延伸至外侧的部分设置有用于使螺丝插通的插通孔。

4.如权利要求1所述的试样支撑体，其特征在于，

还具备具有粘着面且以所述粘着面与所述基板的所述一个面相对的方式贴附于所述一个面的外缘部的导电性的粘着胶带，

所述粘着胶带具有延伸至比所述基板的外缘更外侧的部分。

5.如权利要求1所述的试样支撑体，其特征在于，

所述基板通过将阀金属或硅阳极氧化而形成。

6.如权利要求1所述的试样支撑体，其特征在于，

所述导电层在X射线衍射测定中显示所述导电性材料的结晶的衍射峰。

7.如权利要求1～6中任一项所述的试样支撑体，其特征在于，

所述基板的厚度为5～10μm。

8.一种试样支撑体，其特征在于，

是表面辅助激光解吸电离法用的试样支撑体，

具有由导电性材料构成且设置有从一个面贯通到另一个面的多个贯通孔的基板、和安装于所述基板的外缘部的框体，

所述贯通孔的宽度为1～700nm，

所述基板的厚度为1～50μm，

所述框体具有与所述基板大致同等的热膨胀系数。

9.如权利要求8所述的试样支撑体，其特征在于，

所述基板的厚度为5～10μm。

10.一种试样支撑体的制造方法，其特征在于，

是表面辅助激光解吸电离法用的试样支撑体的制造方法，

包括：

第一工序，其通过将阀金属或硅阳极氧化，从而获得设置有从一个面贯通到另一个面的多个贯通孔的基板；

第二工序，其在所述第一工序中获得的所述基板的外缘部安装框体；和

第三工序，其以至少覆盖所述一个面上未设置有所述贯通孔的部分和所述框体的表面的方式，设置由导电性材料构成的导电层，

所述贯通孔的宽度为1～700nm，

所述基板的厚度为1～50μm，

所述框体具有与所述基板大致同等的热膨胀系数。

11.如权利要求10所述的试样支撑体的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序之后，还包括对具有所述基板、所述框体和所述导电层的所述试样支撑体进行烧成的烧成工序。