[发明专利]吸附装置和真空处理装置有效
申请号: | 201680003147.3 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN106796915B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 前平謙;不破耕;早坂智洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;刘春元 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸附 装置 真空 处理 | ||
1.一种吸附装置,其中,具有:
主体部,在电介质中具有用于对吸附对象物进行吸附保持的多个逆极性的一对吸附电极;
多个导电性膜,由金属或金属氮化物构成,相对于所述多个一对吸附电极设置在所述主体部的吸附侧的部分;以及
绝缘性的多个接触支承部,覆盖所述多个导电性膜并且与所述吸附对象物接触而进行支承,
所述多个导电性膜以分别跨越所述多个一对吸附电极的阳极和阴极的方式仅配置在所述多个接触支承部的区域。
2.根据权利要求1所述的吸附装置,其中,所述多个导电性膜被配置为针对所述多个一对吸附电极的阳极和阴极对由该一对吸附电极产生的电场进行遮蔽的面积分别为均等。
3.根据权利要求1或2的任一项所述的吸附装置,其中,所述接触支承部呈凸状设置在所述主体部的吸附侧的表面。
4.根据权利要求3所述的吸附装置,其中,所述接触支承部与所述主体部以相同的材料整体地形成。
5.根据权利要求3所述的吸附装置,其中,具有带有导电性膜的片材,所述带有导电性膜的片材在绝缘性的片材内部设置有所述导电性膜,该带有导电性膜的片材在配置于所述主体部的表面的情况下以具有所述接触支承部的方式形成,并且,相对于所述主体部拆装自由地构成。
6.一种真空处理装置,其中,具备:
真空槽;以及
吸附装置,被设置在所述真空槽内,
所述吸附装置具有:主体部,在电介质中具有用于对吸附对象物进行吸附保持的多个逆极性的一对吸附电极;多个导电性膜,由金属或金属氮化物构成,相对于所述多个一对吸附电极设置在所述主体部的吸附侧的部分;以及绝缘性的多个接触支承部,覆盖所述多个导电性膜并且与所述吸附对象物接触而进行支承,所述多个导电性膜以分别跨越所述多个一对吸附电极的阳极和阴极的方式仅配置在所述多个接触支承部的区域,
所述真空处理装置被构成为对由所述吸附装置吸附保持的吸附对象物进行规定的处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造