[发明专利]吸附装置和真空处理装置有效
申请号: | 201680003147.3 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN106796915B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 前平謙;不破耕;早坂智洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;刘春元 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 吸附 装置 真空 处理 | ||
本发明提供一种使在与吸附对象物接触的面的吸附力降低来抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有:在电介质中具有用于对基板10进行吸附保持的逆极性的一对吸附电极11、12的主体部50、以及相对于一对吸附电极11、12在主体部50的吸附侧的部分以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式分别配置的导电性膜51。
技术领域
本发明涉及在真空中对基板进行吸附保持的吸附装置,特别是涉及对在背面具有绝缘性的膜的基板以及绝缘性的基板进行吸附保持的吸附装置的技术。
背景技术
历来,在溅射装置等中,为了精密地进行基板的温度控制而广泛地使用静电吸附装置。在真空中在玻璃等的绝缘性基板上进行成膜等处理的装置中,广泛地使用利用梯度力对绝缘性基板进行吸附保持的吸附装置。此外,在对在背面具有绝缘性的膜的基板进行静电吸附的情况下,采取使吸附电压变高来使吸附力变强的方法等。
历来,在此种类的吸附装置中,由于在其吸附面的接触而发生基板背面或吸附装置的吸附面的材料的剥离,产生了由于灰尘的产生导致的工艺不良。
因此,成为制造工序中的成品率降低等那样的使装置的可靠性变低的主要原因。
此外,在现有技术中,进行为了降低基板与吸附面的接触部分(界面)处的热阻而增大吸附力的情况,但是,在该情况下,为了确保接触部分处的紧贴性(接触面积),对基板表面或吸附装置的吸附面进行研磨,其结果是,由磨耗造成的灰尘增大,因此,需要使接触部分处的吸附力降低。
另一方面,作为吸附装置整体,需要降低与基板的热阻,需要一边在接触部分使吸附力降低一边在非接触部分提高吸附力并且通过利用气体的助推器等的热传导来降低热阻的手法。
进而,关于在吸附结束后的残留吸附力的降低技术,历来,通过单纯地使吸附面积变小或使施加电压降低等那样的面内吸附力的相对的降低来进行。
可是,在这样的方法中,基板与吸附装置之间的热传递能力降低,因此,不能最大限度发挥本来的吸附能力。
此外,由于装置的吞吐时间缩短等产生由于残留吸附残存造成的输送错误或者每个基板的成品率等问题,期望吸附装置的均匀的吸附力控制。
进而,由于与基板的接触部分处的吸附力,发生基板背面或吸附装置表面的剥离,与吸附力的均匀性一起期望降低接触部分处的吸附力来抑制磨耗、剥离。
另一方面,当想要使吸附力均匀时,存在在多个吸附电极之中的一部分的吸附电极间发生短路的情况,为了避免这样的事态,也期望能够降低一部分的吸附电极中的吸附力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第4342691号。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是为了解决上述现有技术的课题而完成的,其目的在于提供一种使与吸附对象物接触的面处的吸附力降低来抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力作为整体均匀的方式此外以部分地降低吸附力的方式控制的技术。
此外,本发明的另一目的在于提供一种能够作为吸附装置整体来降低吸附装置与吸附对象物之间的热阻的技术。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题而完成的本发明是,一种吸附装置,其中,具有:主体部,在电介质中具有用于对吸附对象物进行吸附保持的多个逆极性的一对吸附电极;以及多个导电性膜,相对于所述多个一对吸附电极在所述主体部的吸附侧的部分以跨越所述多个一对吸附电极的阳极和阴极的方式配置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科,未经株式会社爱发科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680003147.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板收纳容器
- 下一篇:半导体装置及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造