[发明专利]金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法、金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜以及金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置

权利要求书

1.一种金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，使用N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4-三唑化合物中的至少一者作为氮源，进行金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜，

[化1]

式中，R相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基，另外，2个以上的R相互键合形成环或不相互键合。

2.如权利要求1所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物为选自由下式(2)和式(3)组成的组中的至少一种化合物，

[化2]

式中，R¹相同或不同，表示碳原子数为1～3的直链状、支链状或环状的烷基，另外，2个以上的R¹相互键合形成环或不相互键合，

式中，R²相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基，另外，2个以上的R²相互键合形成环或不相互键合。

3.如权利要求1或2所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，形成碳氮化硅膜作为所述半金属碳氮化膜。

4.如权利要求1～3中任一项所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，使用以选自由脂肪族烃类、芳香族烃类和醚类组成的组中的至少一种作为溶剂的、N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4-三唑化合物中的至少一者的溶液作为氮供给源。

5.如权利要求1～4中任一项所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，供给金属源或半金属源、以及N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4-三唑化合物中的至少一者，在成膜对象物上形成金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜。

6.如权利要求5所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，供给金属卤化物或半金属卤化物作为所述金属源或所述半金属源。

7.如权利要求1～6中任一项所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，使金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜温度小于600℃。

8.如权利要求7所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，使金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜温度小于550℃。

9.如权利要求8所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，其中，使金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜温度为500℃以下。

10.一种金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜，其利用权利要求1～9中任一项所述的制造方法得到。

11.如权利要求10所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜，其中，半金属为硅。

12.一种金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置，其是在权利要求1～11中任一项所述的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法中使用的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置，其中，

该制造装置具备：

反应室，其具有配置所述成膜对象物的配置部，

金属源或半金属源供给部，其向所述反应室内供给所述金属源或半金属源，和

氮源供给部，其向所述反应室内供给所述氮源。