[发明专利]金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法、金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜以及金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法、金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜以及金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置。

背景技术

近年来，在半导体、电子部件等领域，对于具有高耐化学品性的“在金属氮化膜或半金属氮化膜中存在碳的碳氮化膜”进行了大量的研究、开发。作为金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法，例如已知有将氨等无机氮气体与乙炔等烃气体组合来进行制造方法(例如，参见专利文献1)、使用异丙胺作为碳/氮供给源(碳氮化剂)的方法(例如，参见专利文献2)。

另外还公开了使用氨基硅烷类作为用于制造碳氮化硅膜的碳氮化剂(例如，参见专利文献3～5)的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-189173号公报

专利文献2：日本特开2009-283587号公报

专利文献3：日本特开2014-177471号公报

专利文献4：日本特开2010-267971号公报

专利文献5：日本特开2010-43081号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在使用无机氮气体和烃气体的方法中，存在如下问题：需要另外设置供给各气体的单元、并且在成膜时需要600℃以上的高温等。

另一方面，在使用氨基硅烷类的方法中，在等离子体气氛下进行，因而存在不能选择无法耐受等离子体的基板的问题。

本发明的主要目的在于提供一种能够在低温下制造金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法。

解决课题的手段

在本发明的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法中，使用N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4-三唑化合物中的至少一者作为氮源，进行金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜。

[化1]

(式中，R可以相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基。需要说明的是，2个以上的R可以相互键合形成环。)

本发明的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜是利用本发明的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法得到的。

本发明的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置是在本发明的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法中使用的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置。本发明的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置具备反应室、金属源或半金属源供给部、以及氮源供给部。反应室具有配置成膜对象物的配置部。金属源或半金属源供给部向反应室内供给金属源或半金属源。氮源供给部向反应室内供给氮源。

发明的效果

根据本发明，能够提供可在低温下制造金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法。

附图说明

图1是示出本发明的一个实施方式的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置的示意图。

具体实施方式

在本发明的金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法中，使用N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4-三唑化合物中的至少一者作为氮源，进行金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜。

[化2]

(式中，R可以相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基。需要说明的是，2个以上的R可以相互键合形成环。)

具体地说，供给金属源或半金属源、以及N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4-三唑化合物中的至少一者，在成膜对象物上形成金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜。金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜可通过例如化学气相蒸镀法(Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积)法；以下称为CVD法)、原子层外延法(Atomic Layer Deposition(原子层沉积)；以下称为ALD法)适当地进行。