[发明专利]防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在光刻用掩模所使用的防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本发明尤其涉及作为远紫外线(Extreme Ultraviolet：EUV)光刻用的极薄膜的防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件、及其制造方法。

背景技术

光刻工序中，为了防止掩模或分划板(reticule)上附着尘埃等废物(颗粒)，使用了在包围掩模图案的大小的框的一端张紧地架设有防护膜组件膜的防护膜组件。

其中，由于防护膜组件原本就是为了保护光掩模免受尘埃等废物影响而使用的，因此如果制造的防护膜组件上附着了尘埃等，则使用防护膜组件的意义就减弱了。因此，减少尘埃等的附着的防护膜组件的制造方法是现在迫切期望的技术。

其中，尤其是关于EUV用的防护膜组件，如专利文献1那样记载了以下的方法。防护膜组件膜是通过如下那样得到的：首先使用CVD或溅射或者除此之外的成膜方法在硅基板等基板上进行成膜，然后仅将基板在残留周围的框状区域的情况下通过蚀刻等去除(背蚀刻)；由于蚀刻中通常使用已有的半导体制造过程，因此直接以圆盘状、即晶片状态进行。其结果是为了获得防护膜组件膜体，在防护膜组件膜的基板的背蚀刻后，实施防护膜组件膜的修整。不过，如果使用该方法来制造防护膜组件膜，则存在有修整时产生的颗粒(粒子)堆积于膜表面，污染防护膜组件膜的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-004893号公报

发明内容

发明所要解决的课题

防护膜组件存在如下问题：在制造过程中由于各种各样的原因而被尘埃等污染，特别是修整时、对防护膜组件膜进行各种加工时，尘埃等附着的风险高。

这里，考虑了将完成的防护膜组件膜进行洗涤的方法，但是，就作为极薄膜的EUV用防护膜组件而言，膜厚为纳米级，非常容易破裂。还考虑了通过隐形切割来进行修整的方法，但展开时产生粒子且附着于防护膜组件膜的现象仍然存在，没有实现根本性地解决。

这里，本发明的目的在于提供一种减少尘埃等的附着的EUV用防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件、及其制造方法。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题，提供一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整防护膜组件膜，以及在修整后从防护膜组件膜去除基板的一部分。

此外，为了解决上述课题，提供一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整基板，以及在修整后从防护膜组件膜去除基板的一部分。

一个实施方式中，可以在将基板的一部分去除之前，至少去除附着于防护膜组件膜表面的粒子。

一个实施方式中，可以在将基板的一部分去除之前，将基板的端部进行倒角加工。

一个实施方式中，可以在去除粒子之前，至少在基板中形成孔。

一个实施方式中，可以在去除粒子之前，至少在防护膜组件膜和基板中形成孔。

一个实施方式中，可以在去除粒子之前，至少在防护膜组件膜中形成孔。

一个实施方式中，可以为了形成孔，使用极短脉冲激光。

一个实施方式中，去除基板的一部分的工序为湿法蚀刻工序，孔可以通过湿法蚀刻工序设置。

一个实施方式中，可以使用极短脉冲激光进行修整。

根据本发明，提供一种防护膜组件框体，其具有防护膜组件膜和第一框体，防护膜组件膜张紧地架设于第一框体，在第一框体的端部具有至少一个弯曲部。

根据本发明，提供一种防护膜组件框体，其具有防护膜组件膜和第一框体，防护膜组件膜张紧地架设于第一框体，在第一框体的端部具有斜面，第一框体的上表面与斜面所成的角度为100度～170度。

根据本发明，提供一种防护膜组件，防护膜组件框体连接于第二框体，在第二框体的端部具有弯曲部。

本发明中，第一框体的端部是指侧面、角部、转角部。具体而言，包括基板(在使用基板作为第一框体的情况下，为第一框体)的侧面与侧面所成的角部、基板的上表面(与防护膜组件膜相接的一侧的表面)与侧面所成的角部、以及作为包含基板的上表面与两个侧面相交的点的区域的转角部。

发明的效果