[发明专利]摄像器件和电子装置有效
申请号: | 201680004154.5 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN107112339B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 吉村匡平;若野寿史;大竹悠介 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/34;G03B13/36;H01L27/14;H04N9/04;H04N5/369;H04N5/232;H04N5/357 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 器件 电子 装置 | ||
1.一种摄像器件,其包括图像平面相位差检测像素,所述图像平面相位差检测像素用于获得用于图像平面相位差自动对焦的相位差信号,所述图像平面相位差检测像素包括:
第一光电转换部,其响应于入射光而产生电荷;
上电极部,其是隔着所述第一光电转换部彼此面对地布置的电极中的一者,所述上电极部形成在所述第一光电转换部的入射有所述入射光的入射侧;
下电极部,其是隔着所述第一光电转换部彼此面对地布置的所述电极中的另一者,所述下电极部形成在所述第一光电转换部的入射有所述入射光的所述入射侧的相反侧,所述下电极部在避开所述入射光的中心的位置处被多重分割;
第二光电转换部,所述第二光电转换部响应于穿过所述第一光电转换部和所述下电极部的光而产生电荷;以及
滤色器,所述滤色器设置在所述下电极部和所述第二光电转换部之间,且仅使所述入射光的特定波长成分穿过所述滤色器并进入所述第二光电转换部。
2.如权利要求1所述的摄像器件,其中,所述下电极由在避开所述入射光的中心的所述位置处被非均匀地两重分割成的第一下电极部和第二下电极部构成。
3.如权利要求1所述的摄像器件,其中,
所述上电极部由透射光的部件构成,且
所述下电极部由透射光的部件构成。
4.如权利要求2所述的摄像器件,其中,所述第一下电极部和所述第二下电极部中的一者的输出被用作用于图像平面相位差自动对焦的所述相位差信号。
5.如权利要求2所述的摄像器件,其中,所述第一下电极部和所述第二下电极部的输出被相加以被用作图像信号。
6.如权利要求1-5中任一项所述的摄像器件,其还包括用于获得图像信号的正常像素。
7.如权利要求1-5中任一项所述的摄像器件,其中,
所述图像平面相位差检测像素还包括将所述入射光会聚在所述第一光电转换部上的聚光部,且
所述下电极部在避开所述聚光部的光学中心的位置处被非均匀地两重分割。
8.如权利要求1-5中任一项所述的摄像器件,其中,所述滤色器以像素为单位着色。
9.如权利要求1-5中任一项所述的摄像器件,其中,所述第一光电转换部仅响应于所述入射光的特定波长成分而产生电荷。
10.如权利要求1-5中任一项所述的摄像器件,其中,所述第一光电转换部和所述第二光电转换部中的至少一者是有机光电转换膜。
11.一种摄像器件,其包括图像平面相位差检测像素,所述图像平面相位差检测像素用于获得用于图像平面相位差自动对焦的相位差信号,所述图像平面相位差检测像素包括:
第一光电转换部,其响应于入射光而产生被用作图像信号的电荷;
上电极部,其是隔着所述第一光电转换部彼此面对地布置的电极中的一者,所述上电极部形成在所述第一光电转换部的入射有所述入射光的入射侧;
下电极部,其是隔着所述第一光电转换部彼此面对地布置的所述电极中的另一者,所述下电极部形成在所述第一光电转换部的入射有所述入射光的所述入射侧的相反侧;
第二光电转换部,其响应于穿过所述第一光电转换部和所述下电极部的光而产生被用作所述相位差信号的电荷;
遮光部,其形成在所述下电极部与所述第二光电转换部之间,并覆盖穿过所述第一光电转换部和所述下电极部的所述光的中心;以及
滤色器,所述滤色器设置在所述下电极部和所述第二光电转换部之间,且仅使所述入射光的特定波长成分穿过所述滤色器并进入所述第二光电转换部。
12.如权利要求11所述的摄像器件,其中,所述遮光部由反射光的部件构成。
13.一种安装有根据权利要求1-12中任一项所述的摄像器件的电子装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的