[发明专利]摄像器件和电子装置有效
申请号: | 201680004154.5 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN107112339B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 吉村匡平;若野寿史;大竹悠介 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/34;G03B13/36;H01L27/14;H04N9/04;H04N5/369;H04N5/232;H04N5/357 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 器件 电子 装置 | ||
本发明涉及能够抑制混色和噪声的出现的摄像器件以及电子装置。本发明的摄像器件包括图像平面相位差检测像素,图像平面相位差检测像素用于获得用于图像平面相位差AF的相位差信号。图像平面相位差检测像素包括:第一光电转换部,其响应于入射光而产生电荷;上电极部,其是隔着第一光电转换部彼此面对地布置的电极中的一者,上电极部形成在第一光电转换部的入射有入射光的入射侧;以及下电极部,其是隔着第一光电转换部彼此面对地布置的电极中的另一者,下电极部形成在第一光电转换部的入射有入射光的入射侧的相反侧,下电极部在避开入射光的中心的位置处被多重分割。本发明可适用于图像传感器。
技术领域
本发明涉及摄像器件和电子装置,并更具体地涉及包括用于获得图像信号的正常像素和用于获得用于图像平面相位差自动对焦(automatic focusing,AF)的相位差信号的图像平面相位差检测像素的摄像器件以及电子装置。
背景技术
传统上,目前已经提出了包括正常像素和图像平面相位差检测像素的摄像器件,在该摄像器件中,除作为摄像器件的光电转换部的光电二极管(PD)之外,还设置有有机光电转换膜(例如,参见专利文献1)。
在上述摄像器件的构造中,从光入射侧依次形成有作为主要构成元件的片上透镜、透明上电极、有机光电转换膜、透明下电极和PD。特别地,图像平面相位差检测像素的有机光电转换膜的下电极设置有狭缝,该狭缝位于片上透镜的光学中心处,在此处,入射光强度最高。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开第2013-145292号。
发明内容
本发明要解决的问题
在专利文献1所述的摄像器件中,由于有机光电转换膜的下电极设置有如上所述的狭缝,所以大量光穿过下电极的狭缝但未被有机光电转换膜光电转换,并且被PD光电转换成混色。
此外,即使在假定从摄像器件省略了PD的构造的情况下,入射光也从狭缝泄漏至下层侧,从而产生噪声。
本发明是针对这种情况而提出的,并且旨在控制由像素内的入射光的泄漏导致的噪声产生。
问题的解决方案
根据本发明的第一方面的摄像器件包括图像平面相位差检测像素,图像平面相位差检测像素用于获得用于图像平面相位差AF的相位差信号,图像平面相位差检测像素包括:第一光电转换部,其响应于入射光而产生电荷;上电极部,其是隔着第一光电转换部彼此面对地布置的电极中的一者,上电极部形成在第一光电转换部的入射有入射光的入射侧;以及下电极部,其是隔着第一光电转换部彼此面对地布置的电极中的另一者,下电极部形成在第一光电转换部的入射有入射光的入射侧的相反侧,下电极部在避开入射光的中心的位置处被多重分割。
下电极部可由在避开入射光的中心的位置处被非均匀地两重分割成的第一下电极部和第二下电极部构成。
上电极部可由透射光的部件构成,且下电极部可由反射光的部件构成。
第一下电极部和第二下电极部中的一者的输出可被用作用于图像平面相位差AF的相位差信号。
第一下电极部和第二下电极部的输出可被相加以被用作图像信号。
本发明的摄像器件还可包括用于获得图像信号的正常像素。
图像平面相位差检测像素还可包括将入射光会聚在第一光电转换部上的聚光部,且下电极部可在避开聚光部的光学中心的位置处被非均匀地两重分割。
图像平面相位差检测像素还可包括被以像素为单位着色的滤色器,滤色器仅使入射光的特定波长成分穿过滤色器并进入第一光电转换部。
第一光电转换部可仅响应于入射光的特定波长成分而产生电荷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的