[发明专利]荧光体陶瓷、封装光半导体元件、电路板、光半导体装置和发光装置有效
申请号: | 201680004659.1 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN107112396B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 藤井宏中;白川真广 | 申请(专利权)人: | 肖特股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;F21V13/12;H01L33/52;H01L33/60;H01L33/62;F21Y115/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 陶瓷 封装 半导体 元件 电路板 装置 发光 | ||
1.一种荧光体陶瓷,其特征在于,其具有:
孔径为3.0μm以上且12.0μm以下的中空孔、
孔径为0.3μm以上且小于3.0μm的小空孔、和
孔径为超过12.0μm且30μm以下的大空孔,
所述中空孔占所述荧光体陶瓷的体积比例为1.5体积%以上且9.5体积%以下,
所述小空孔占所述荧光体陶瓷的体积比例为2.0体积%以下,
所述大空孔占所述荧光体陶瓷的体积比例为12.0体积%以下。
2.根据权利要求1所述的荧光体陶瓷,其特征在于,所述荧光体陶瓷具有板状,满足下式:
V≤1.30×(-log T)
V表示孔径小于3.0μm的空孔的体积比例,以%计,
T表示所述荧光体陶瓷的厚度,以mm计。
3.根据权利要求1所述的荧光体陶瓷,其特征在于,其满足下述(1)~(3)中至少一个条件:
(1)钠元素为67ppm以下;
(2)镁元素为23ppm以下;
(3)铁元素为21ppm以下。
4.根据权利要求1所述的荧光体陶瓷,其特征在于,所述荧光体陶瓷的平均孔径为3.0μm以上且10.0μm以下。
5.一种光半导体装置,其特征在于,其具备:
基板、
安装于所述基板的光半导体元件、
粘接层、和
配置于所述粘接层的与所述光半导体元件处于相反侧的面上、与所述光半导体元件对向配置的权利要求1所述的荧光体陶瓷。
6.一种光半导体装置,其特征在于,其具备:
基板、
安装于所述基板的光半导体元件、
对所述光半导体元件进行封装的封装层、和
配置于所述封装层的与所述光半导体元件处于相反侧的面上、与所述光半导体元件对向配置的权利要求1所述的荧光体陶瓷。
7.一种封装光半导体元件,其特征在于,其具备:
光半导体元件、
对所述光半导体元件进行封装的封装层、和
配置于所述封装层的与所述光半导体元件处于相反侧的面上、与所述光半导体元件对向配置的权利要求1所述的荧光体陶瓷。
8.一种电路板,其特征在于,其具备:
用于将光半导体元件安装于厚度方向一侧的权利要求1所述的荧光体陶瓷、和
层叠于所述荧光体陶瓷的厚度方向一面上、用于与所述光半导体元件电连接的电极布线。
9.一种发光装置,其特征在于,其具备:
向一侧照射光的光源、
与所述光源隔开间隔地对向配置于一侧、形成有用于通过所述光的贯通孔的反射镜、和
以照射所述光的方式与所述反射镜隔开间隔地对向配置于一侧的权利要求1所述的荧光体陶瓷。
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