[发明专利]荧光体陶瓷、封装光半导体元件、电路板、光半导体装置和发光装置有效
申请号: | 201680004659.1 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN107112396B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 藤井宏中;白川真广 | 申请(专利权)人: | 肖特股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;F21V13/12;H01L33/52;H01L33/60;H01L33/62;F21Y115/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 陶瓷 封装 半导体 元件 电路板 装置 发光 | ||
荧光体陶瓷是具有孔径为3.0μm以上且12.0μm以下的空孔的荧光体陶瓷。空孔占荧光体陶瓷的体积比例为1.5体积%以上且9.5体积%以下。
技术领域
本发明涉及荧光体陶瓷、及具备该荧光体陶瓷的封装光半导体元件、电路板、光半导体装置和发光装置。
背景技术
光半导体装置等发光装置通常具备例如发出蓝色光的LED(发光二极管元件)、LD(激光二极管)、和能够将蓝色光转换为黄色光的设置在LED上的荧光体层。发光装置通过由LED发出的透过了荧光体层的蓝色光与在荧光体层使一部分蓝色光波长转换而成的黄色光的混色而发出白色光。
作为这样的荧光体层,已知例如由陶瓷材料形成的转换元件(例如参照专利文献1。)。
专利文献1公开了一种转换元件,其具有陶瓷材料的理论上的固体状态的密度的97%以上的密度,转换元件内的孔具有实质上在250nm~2900nm之间的直径。
专利文献1的转换元件通过具有纳米级的微小的孔,因此改善了在宽广视角下的透过性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:专利5049336号
发明内容
然而,专利文献1的转换元件需要制造具有纳米级的孔径的孔,在制造(高温烧结过程)作为陶瓷的转换元件时,由于陶瓷的晶体生长,因而纳米级的孔容易消失。即,专利文献1的转换元件中,产生难以调整该孔的大小、生产率差这样的问题。
另外,对于透明性和散射性也期待进一步的改良。
进而,将通过荧光体使例如LD等发出的激发光进行波长转换而得到的光照射于对象物时,会出现发生感觉到晃眼的不自然的视觉的现象(散斑噪声)这样的问题。
本发明的目的在于提供:透过性和散射性良好、生产率优异、能够降低散斑噪声的荧光体陶瓷、和具备该荧光体陶瓷的封装光半导体元件、电路板、光半导体装置和发光装置。
本发明[1]包括一种荧光体陶瓷,其为具有孔径为3.0μm以上且12.0μm以下的空孔的荧光体陶瓷,所述空孔占所述荧光体陶瓷的体积比例为1.5体积%以上且9.5体积%以下。
本发明[2]包括[1]所述的荧光体陶瓷,其中,所述荧光体陶瓷具有板状,满足下述式:
V≤1.30×(-log T)
(V表示孔径小于3.0μm的空孔的体积比例(%),T表示所述荧光体陶瓷的厚度(mm)。)。
本发明[3]包括[1]或[2]所述的荧光体陶瓷,其中,满足下述(1)~(3)的至少一个条件。
(1)钠元素为67ppm以下。
(2)镁元素为23ppm以下。
(3)铁元素为21ppm以下。
本发明[4]包括[1]~[3]中任一项所述的荧光体陶瓷,其中,所述荧光体陶瓷的平均孔径为3.0μm以上且10.0μm以下。
本发明[5]包括一种光半导体装置,其具备:基板、安装于所述基板的光半导体元件、粘接层和配置于所述粘接层的与所述光半导体元件处于相反侧的面上、与所述光半导体元件对向配置的[1]~[4]中任一项所述的荧光体陶瓷的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肖特股份有限公司,未经肖特股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680004659.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于碳化硅密封件的打孔装置
- 下一篇:一种加气砂砖用切割设备