[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201680004832.8 | 申请日: | 2016-06-08 |
公开(公告)号: | CN107109618B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 藤长徹志;井堀敦仁;松本昌弘;谷典明;岩井治宪;岩田贤二;佐藤良直 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;H05H1/46 |
代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 余文娟 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,具备:
接地的框体;
阴极载台,构成为位于所述框体内并支承基板,所述阴极载台被施加用于产生等离子的电压;
阳极单元,被固定于所述框体,包含第一板和第二板,所述第一板位于所述框体内并包含多个第一贯穿孔,所述第二板位于所述第一板与所述阴极载台之间,并包含比所述第一贯穿孔大的多个第二贯穿孔;以及
气体供给部,向所述第一板供给气体,
其中,所述第一板构成为使所述气体穿过所述多个第一贯穿孔流动,从而使所述气体向所述第一板的面方向扩散;
所述第二板构成为使穿过所述第一贯穿孔的所述气体穿过所述多个第二贯穿孔从而在所述第二板与所述阴极载台之间流动;并且
所述第一板与第二板之间的距离为10mm以上且50mm以下,
所述第一板和所述第二板均被设为接地电位。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述第二板被配置于与所述第一板面对的位置;
所述基板处理装置还具备闭塞部,该闭塞部遍及所述第一板的整个周向将所述第一板与所述第二板之间的空间区域封闭,
所述第二板和所述闭塞部为金属且被固定于所述框体,均为接地电位。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,还具备划分部,其遍及所述第一板的整个周向,从所述阳极单元的外部划分所述第一板与所述阳极单元内的所述框体的内壁之间的空间区域,
所述第二板和所述划分部为金属且被固定于所述框体,均为接地电位。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的基板处理装置,其中,所述多个第二贯穿孔分别形成为圆形孔状,具有3mm以上且20mm以下的直径。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,所述多个第一贯穿孔分别形成为圆形孔状,具有0.5mm以上且5mm以下的直径。
6.一种使用根据权利要求1所述的基板处理装置处理基板的方法,所述方法包括:
在所述第二贯穿孔内产生等离子;并且
在所述第二板和所述阴极载台之间产生等离子,其中在各第二贯穿孔内的所述等离子的发光强度高于所述第二板与所述阴极载台之间产生的等离子的发光强度。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中:所述框体内部的压力为0.1Pa以上且30Pa以下;
供给至所述阴极载台的电力优选为0.04W/cm2以上且4W/cm2以下;并且
所述电力的频率为1MHz以上且40MHz以下。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,还包括:
在具有1MHz以上且40MHz以下的频率的所述电力上重叠具有100Hz以上且2MHz以下的频率的电力,其中具有100Hz以上且2MHz以下的频率的电力为0.02W/cm2以上且0.8W/cm2以下。
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