[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

第二基板，包括第二基座、导电图案及绝缘图案，所述导电图案位于所述第二基座上，所述绝缘图案位于所述第二基座与所述导电图案之间；

第一基板，位于所述第二基板上，且包括第一基座、第一电极和第二电极；以及

发光二极管，位于所述第一基板上，且包括发光部、第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极位于所述发光部与第一基板之间，

其中，所述第二基板的第二基座包括向上部突出的突出部，所述突出部抵接于所述第一基板

所述发光二极管包括发光结构体，

所述发光结构体包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层，

所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括在所述第一导电型半导体上去除部分所述第二导电型半导体层和所述活性层而形成的所述第二导电型半导体层和所述活性层，

所述发光二极管包括：绝缘层，包括使所述第一导电型半导体层局部暴露的开口和使所述第二导电型半导体层局部暴露的开口；第一接触电极，形成在使所述第一导电型半导体层局部暴露的开口上；以及第二接触电极，形成在所述第二导电型半导体层上，

所述第一接触电极形成为覆盖除了使所述第二导电型半导体层局部暴露的开口之外的发光结构体的全部上表面，

所述发光结构体的厚度为20μm以上。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一基板还包括位于所述第一基座的下表面的散热垫，

所述散热垫抵接于所述突出部。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中，

所述第一电极包括第一上部电极和第一下部电极及第一通孔电极，所述第一上部电极和第一下部电极分别位于所述第一基座的上表面和下表面，所述第一通孔电极连接所述第一上部电极与第一下部电极；

所述第二电极包括第二上部电极和第二下部电极及第二通孔电极，所述第二上部电极和第二下部电极分别位于所述第一基座的上表面和下表面，所述第二通孔电极连接所述第二上部电极与第二下部电极；

所述第一通孔电极和第二通孔电极贯穿所述第一基座。

4.如权利要求3所述的发光装置，其中，所述散热垫位于所述第一下部电极与第二下部电极之间。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述导电图案包括相互隔开的第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案和第二导电图案分别电连接于第一电极和第二电极。

6.如权利要求5所述的发光装置，其中，所述突出部位于所述第一导电图案与第二导电图案之间。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一基座包含绝缘性陶瓷，所述第二基座包含导电性金属。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光结构体包括氮化物半导体。

9.如权利要求8所述的发光装置，其中，所述发光结构体的厚度为100μm以上。

10.如权利要求8所述的发光装置，其中，所述发光结构体还包括氮化物系生长基板。

11.如权利要求10所述的发光装置，其中，所述氮化物系生长基板为GaN基板。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中，

所述第一接触电极和第二接触电极分别欧姆接触于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层，

所述绝缘层使所述第一接触电极与第二接触电极绝缘，并覆盖所述第一接触电极和第二接触电极的局部，

其中，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极分别电连接于所述第一接触电极和第二接触电极。