[发明专利]Mn-Zn-W-O类溅射靶材及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680005746.9 申请日: 2016-01-25
公开(公告)号: CN107148495B 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 菅原淳一;加守雄一;德竹房重 申请(专利权)人: 迪睿合株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;G11B7/243
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 童春媛;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: mn zn 溅射 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.溅射靶材,其为在成分组成中含有Mn、Zn、W和O的Mn-Zn-W-O类溅射靶材,其特征在于,

在前述溅射靶材的X射线衍射中,来源于仅由Mn和O构成的锰氧化物的峰的最大峰强度PMnO与来源于W的峰的最大峰强度Pw之比PMnO/Pw为0.027以下。

2.权利要求1所述的溅射靶材,其中,在前述溅射靶材的X射线衍射中,存在来源于WMnO4晶体相的峰。

3.权利要求1或2所述的溅射靶材,其中,前述来源于WMnO4晶体相的峰的最大峰强度PWMnO与前述最大峰强度Pw之比PWMnO/Pw为0.024以上。

4.权利要求1或2所述的溅射靶材,其中,相对于Mn、Zn和W的合计100原子%,Mn:4~40原子%,Zn:15~60原子%,W:5~40原子%。

5.权利要求1或2的任一项所述的溅射靶材,其中,在前述成分组成中还包含选自由Cu、Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr、Tb构成的组的单独1种或2种以上的元素。

6.权利要求5所述的溅射靶材,其中,在前述溅射靶材的构成元素中,相对于除了O以外的合计100原子%,选自前述组的单独1种或2种以上的元素的含有率为8~70原子%。

7. 制造方法,其为制造权利要求1所述的Mn-Zn-W-O类溅射靶材的方法,其特征在于,包括:

对包含在成分中含有Mn的粉末、在成分中含有Zn的粉末和在成分中含有W的粉末的混合粉末进行12小时以上的湿式混合的混合步骤,和

该混合步骤之后,在700℃以上的温度下烧结前述混合粉末的烧结步骤。

8.权利要求7所述的制造方法,其中,前述在成分中含有Mn的粉末由锰氧化物粉末构成,前述在成分中含有Zn的粉末由锌氧化物粉末构成,前述在成分中含有W的粉末由金属钨粉末构成。

9.权利要求7或8所述的制造方法,其中,前述混合粉末还包含由选自Cu、Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr、Tb的单独1种或2种以上的元素的单质或化合物构成的粉末。

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