[发明专利]陶瓷基板的制造方法、陶瓷基板和银系导体材料有效
申请号: | 201680005796.7 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN107113976B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 加藤达哉;伊东正宪;沓名正树 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H05K3/12 | 分类号: | H05K3/12;H05K1/09;H05K3/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 制造 方法 导体 材料 | ||
含有玻璃的陶瓷基板的制造方法具备将未烧结的银系导体材料配置在未烧结的陶瓷层上进行烧结的烧结工序,未烧结的银系导体材料含有金属硼化物或金属硅化物中的至少一种。
技术领域
本发明涉及陶瓷基板的制造方法、陶瓷基板和银系导体材料。
背景技术
作为陶瓷基板,已知也被称为LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics,低温共烧陶瓷)基板的低温烧结陶瓷多层基板。LTCC基板通常通过将用未烧结的导体材料形成布线图案后的坯片多层层叠并烧结来制造(例如下述专利文献1、2等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平6-252524号公报
专利文献2:日本特开2007-234537号公报
发明内容
不仅是LTCC基板,使用了银系导体材料的陶瓷基板的制造工序中均存在如下问题:在烧结中,导体材料中的银扩散到陶瓷中,从而产生也被称为孔隙的空隙以及基板变形、变色等不良。一直以来,提出了在银系导体材料中添加用于抑制烧结中的银扩散的各种物质的技术。例如,上述专利文献1的技术中,将银系导体性粉末的表面用锑的盐或锑酸盐涂敷。另外,专利文献2的技术中,在导体糊剂中添加Si粉末。
但是,即使将这些物质添加到银系导体材料中,有时在烧结温度附近也未如期待那样发生由该物质带来的、用于抑制银的扩散的反应,不能充分得到抑制银的扩散的效果。因此,关于在陶瓷基板的制造工序中抑制烧结中的银扩散这一点,依然有改善的余地。
本发明是为了利用不同于此前的方法来解决至少上述课题而进行的,能够以以下方式来实现。
[1]根据本发明的第1方式,提供一种含有玻璃的陶瓷基板的制造方法。该制造方法具备烧结工序。前述烧结工序可以是将未烧结的银系导体材料配置在未烧结的陶瓷层上进行烧结的工序。前述未烧结的银系导体材料可以含有金属硼化物或金属硅化物中的至少一种。根据该方式的制造方法,通过在未烧结的银系导体材料中添加金属硼化物或金属硅化物中的至少一种,从而抑制烧结中的银扩散。需要说明的是,未烧结的银系导体材料可以配置在未烧结的陶瓷层的表面,也可以配置在未烧结的陶瓷层彼此之间或形成在未烧结陶瓷层中的贯穿孔中。
[2]在上述方式的制造方法中,前述金属硼化物可以含有六硼化镧、六硼化硅、二硼化钛、二硼化钽中的至少一种。根据该方式的制造方法,能更有效地抑制烧结中的银扩散。
[3]在上述方式的制造方法中,前述金属硅化物可以含有二硅化钛、二硅化锆、二硅化钨、二硅化铬、二硅化钼、二硅化钽中的至少一种。根据该方式的制造方法,能更有效地抑制烧结中的银扩散。
[4]在上述方式的制造方法中,前述未烧结的银系导体材料含有前述金属硼化物或前述金属硅化物,前述未烧结的银系导体材料的无机成分中的前述金属硼化物或前述金属硅化物的含有率可以大于3体积%且小于20体积%。根据该方式的制造方法,能更有效地抑制烧结中的银扩散,并且抑制在基板的导体中残留杂质。
[5]在上述方式的制造方法中,前述未烧结的银系导体材料含有银粉末,在前述银系导体材料中,前述金属硼化物或前述金属硅化物中的至少一种可以附着在前述银粉末的表面。如果为该方式的制造方法,则能更有效地抑制烧结中银的氧化,因此银向陶瓷层扩散的抑制效果提高。
[6]根据本发明的第2方式,提供一种陶瓷基板。该陶瓷基板可以具备:经过上述方式的制造方法中的任一项所述的烧结工序而形成的陶瓷层和银系导体的布线层。根据该方式的陶瓷基板,能抑制孔隙、翘曲、变色等不良的产生。
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