[发明专利]陶瓷基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680005805.2 申请日: 2016-01-08
公开(公告)号: CN107113986B 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 加藤达哉;伊东正宪;沓名正树 申请(专利权)人: 日本特殊陶业株式会社
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H05K1/03
代理公司: 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘新宇;李茂家<国际申请>=PCT/JP
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种陶瓷基板的制造方法,其特征在于,其为制造如下的陶瓷基板的方法,所述陶瓷基板具备主要由玻璃陶瓷形成的陶瓷层、和主要由银(Ag)形成的导体图案,该制造方法具备:

制作在所述玻璃陶瓷的原料粉末中添加有金属硼化物和金属硅化物中的至少一种粉末的陶瓷糊剂的工序,其中,所述玻璃陶瓷的所述原料粉末含有作为主材的硼硅酸盐玻璃粉末和氧化铝(Al2O3)粉末;

对烧结后成为所述陶瓷层的、未添加金属硼化物和金属硅化物中的至少一种粉末的坯片上涂布所述陶瓷糊剂的工序;

在涂布于所述坯片的所述陶瓷糊剂上,涂布烧结后成为所述导体图案的导体糊剂的工序;以及

对涂布有所述陶瓷糊剂和所述导体糊剂的所述坯片进行烧结的工序。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制造方法,其中,所述金属硼化物含有六硼化镧(LaB6)、六硼化硅(SiB6)和二硼化钛(TiB2)中的至少1种。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的陶瓷基板的制造方法,其中,所述金属硅化物含有二硅化钛(TiSi2)、二硅化锆(ZrSi2)和二硅化钽(TaSi2)中的至少1种。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的陶瓷基板的制造方法,其中,所述陶瓷糊剂中所含的无机成分中的所述金属硼化物和所述金属硅化物的总含量为3体积%以上且7体积%以下。

5.一种陶瓷基板的制造方法,其特征在于,其为制造如下的陶瓷基板的方法,所述陶瓷基板具备主要由玻璃陶瓷形成的陶瓷层、和主要由银(Ag)形成的导体图案,该制造方法具备:

制作在所述玻璃陶瓷的原料粉末中添加有金属硼化物和金属硅化物中的至少一种粉末的陶瓷浆料的工序,其中,所述玻璃陶瓷的所述原料粉末含有作为主材的硼硅酸盐玻璃粉末和氧化铝(Al2O3)粉末;

由所述陶瓷浆料制作烧结后成为所述陶瓷层的坯片的工序;

在所述坯片上涂布烧结后成为所述导体图案的导体糊剂的工序;以及

对涂布有所述导体糊剂的所述坯片进行烧结的工序。

6.一种根据权利要求1~5任一项所述陶瓷基板的制造方法制作的陶瓷基板,其特征在于,其具备主要由玻璃陶瓷形成的陶瓷层、和主要由银(Ag)形成的导体图案,

所述陶瓷层包含:

与所述导体图案邻接的第1陶瓷层、和

第2陶瓷层,其将所述第1陶瓷层夹在该第2陶瓷层与所述导体图案之间,

所述第1陶瓷层中所含的硅原子(Si)和硼原子(B)中的至少一者的浓度比所述第2陶瓷层高。

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