[发明专利]陶瓷基板及其制造方法有效
申请号: | 201680005805.2 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN107113986B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 加藤达哉;伊东正宪;沓名正树 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H05K1/03 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇;李茂家<国际申请>=PCT/JP |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
陶瓷基板的制造方法具备:制作在玻璃陶瓷的原料粉末中添加有金属硼化物和金属硅化物中的至少一种粉末的陶瓷糊剂的工序;对烧结后成为陶瓷层的坯片涂布陶瓷糊剂的工序;在涂布于坯片的陶瓷糊剂上,涂布烧结后成为导体图案的导体糊剂的工序;以及,对涂布有陶瓷糊剂和导体糊剂的坯片进行烧结的工序。
技术领域
本发明涉及陶瓷基板及其制造方法。
背景技术
已知陶瓷基板具备:主要由玻璃陶瓷形成的陶瓷层、和主要含有银(Ag)的导体图案。这样的陶瓷基板通过在作为陶瓷层的烧结前形态的坯片上涂布作为导体图案的烧结前形态的导体糊剂后进行烧结而形成。这样的陶瓷基板也被称为低温共烧陶瓷(LTCC:LowTemperature Co-fired Ceramics)基板。
在通过烧结形成陶瓷基板时,导体糊剂的银成分向陶瓷层扩散,从而存在陶瓷层产生空隙、变形、变色等的情况。通常认为,银成分向陶瓷层的扩散会由于导体图案中所含的银成分的氧化而加速。
专利文献1公开了一种技术,其将导体糊剂中所含的银粉末的表面用锑盐覆盖,从而抑制银成分向陶瓷层的扩散。专利文献2公开了一种技术,其在导体糊剂中添加硅粉末,从而抑制银成分向陶瓷层的扩散。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平6-252524号公报
专利文献2:日本特开2007-234537号公报
发明内容
专利文献1、2的技术存在不能充分抑制银成分向陶瓷层扩散的情况。
本发明是为了解决上述课题而作出的,能够以以下方式来实现。
(1)本发明的一方式提供一种陶瓷基板的制造方法,其制造具备主要由玻璃陶瓷形成的陶瓷层、和主要由银(Ag)形成的导体图案的陶瓷基板。该制造方法具备:制作在前述玻璃陶瓷的原料粉末中添加有金属硼化物和金属硅化物中的至少一种粉末的陶瓷糊剂的工序;在烧结后成为前述陶瓷层的坯片上涂布前述陶瓷糊剂的工序;在涂布于前述坯片的前述陶瓷糊剂上,涂布烧结后成为前述导体图案的导体糊剂的工序;以及,对涂布有前述陶瓷糊剂和前述导体糊剂的前述坯片进行烧结的工序。根据该方式,添加到陶瓷糊剂的金属硼化物和金属硅化物中的至少一种添加成分在烧结中发生氧化,从而可以抑制导体图案的银成分向陶瓷层扩散。因此,可以抑制因银成分扩散而导致陶瓷层产生空隙、变形、变色等情况。其结果,可以提高陶瓷基板的品质。
(2)在上述方式的制造方法中,前述金属硼化物可以含有六硼化镧(LaB6)、六硼化硅(SiB6)和二硼化钛(TiB2)中的至少1种。根据该方式,可以抑制银成分从导体图案向陶瓷层扩散。
(3)在上述方式的制造方法中,前述金属硅化物可以含有二硅化钛(TiSi2)、二硅化锆(ZrSi2)和二硅化钽(TaSi2)中的至少1种。根据该方式,可以抑制银成分从导体图案向陶瓷层扩散。
(4)在上述方式的制造方法中,前述陶瓷糊剂中所含的无机成分中的、前述金属硼化物和前述金属硅化物的总含量可以为3体积%以上且7体积%以下。根据该方式,可以充分抑制银成分从导体图案向陶瓷层扩散。
(5)在上述方式的制造方法中,前述玻璃陶瓷的前述原料粉末可以含有硼硅酸盐玻璃粉末和氧化铝(Al2O3)粉末。根据该方式,可以提高硼硅酸盐玻璃系陶瓷基板的品质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本特殊陶业株式会社,未经日本特殊陶业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680005805.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种补给式矿用运输车
- 下一篇:一种新型地铁施工电动平板车