[发明专利]用于制造大量光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造大量光电子半导体器件（1）的方法，所述方法具有如下步骤：

a) 提供具有半导体层序列（20）的第一复合体（3），其中所述第一复合体具有大量彼此机械连接的器件区（3）；

b) 在所述半导体层序列上构造大量触头（4），其中在每个器件区上构造至少一个触头；

c) 在所述半导体层序列上构造第一模塑料（50），其中所述第一模塑料填充在所述触头之间的中间空间（45）；

d) 分割具有所述第一模塑料的第一复合体，其中在从所述第一模塑料分割时形成大量第一成型体（5），所述第一成型体（5）分别分配有一个来自所述第一复合体的器件区的半导体主体（2）；

其中，所述半导体主体和所述第一成型体在步骤d)之后为了构造第二复合体（35）而用第二模塑料（550）来改型，其中第二模塑料被构造为使得所述触头完全被覆盖，而且所述触头在切断所述第二复合体之前在另一步骤被暴露。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，在步骤c)之后除去用于所述半导体层序列的生长衬底（29）。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一成型体和第二成型体对于在所述半导体主体中所生成的或者要接收的辐射来说是透不过的。

4.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，在步骤d)与构造所述第二复合体之间增大在相邻的半导体主体之间的中心距（25）。

5.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，所述第二模塑料为了构造所述半导体器件而从所述第二复合体切断。

6.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，在所述触头暴露时，所述第一模塑料和所述第二模塑料局部地被除去。

7.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，所述第一模塑料被构造为使得所述触头完全被覆盖，其中所述触头在涂覆所述第二模塑料之前被暴露。

8.根据权利要求2所述的方法，

其中，在所述第二复合体上构造触点（6），所述触点（6）分别与所述触头之一导电连接。

9.根据权利要求2所述的方法，

其中，所述第一模塑料和所述第二模塑料以铸造法来涂覆。

10.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，借助于相干辐射来分割所述第一复合体。

11.一种光电子半导体器件（1），其具有：

- 一个被设置用于生成和/或用于接收辐射的半导体主体（2）；

- 一个辐射透射面（10）；

- 至少一个触头（4），所述触头（4）布置在所述半导体主体的背离所述辐射透射面的一侧；

- 一个第一成型体（5），所述第一成型体（5）布置在所述半导体主体的背离所述辐射透射面的一侧，而且所述第一成型体（5）与所述半导体主体相邻并且与所述触头相邻；

- 第二成型体（55），所述第二成型体（55）形成所述半导体器件的朝平行于所述辐射透射面地走向的横向方向邻接所述半导体器件的侧面（15），而且所述第二成型体（55）部分地与所述第一成型体相邻并且与所述半导体主体相邻；

其中，所述第一成型体与所述第二成型体部分地形成背离辐射透射面的后侧。

12.根据权利要求11所述的光电子半导体器件，

其中，至少沿着横向方向，所述第一成型体的伸展比所述半导体主体的伸展最高大20μm。

13.根据权利要求11或12所述的光电子半导体器件，

其中，所述第一成型体和所述第二成型体对于在所述半导体主体中在运行时所生成的或者要接收的辐射来说是透不过的。