[发明专利]用于制造大量光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件

说明书

说明了一种用于制造大量光电子半导体器件（1）的方法，其中所述方法包括如下步骤：a)提供具有半导体层序列（20）的复合体（3），其中所述复合体具有大量彼此机械连接的器件区（3）；b)在所述半导体层序列上构造大量触头（4），其中在每个器件区上构造至少一个触头；c)在所述半导体层序列上构造模塑料（50），其中所述模塑料填充在所述触头之间的中间空间（45）；d)分割具有所述模塑料的复合体，其中在从所述模塑料分割时形成大量成型体（5），所述成型体（5）分别分配有一个来自所述复合体的器件区的半导体主体（2）。此外，还说明了一种光电子半导体器件。

技术领域

本申请涉及一种用于制造光电子半导体器件的方法以及一种光电子半导体器件。

背景技术

在光电子半导体器件中、例如在发光二极管中，不同的制造步骤常常取决于所要制造的半导体器件的大小地得到应用，尤其是针对外壳的构造得到应用。这在整体上提高了制造方法的复杂性以及为此所需的花费。

发明内容

一个任务是说明一种方法，所述方法可以尽可能与所要制造的半导体器件的大小无关地以简单并且可靠的方式来执行。此外，还应该说明一种半导体器件，所述半导体器件的特点在于良好的光电子特性而且所述半导体器件同时能简单地被制造。

这些任务尤其通过按照本发明的方法或光电子半导体器件来解决。在本发明中还说明了其它的设计方案和适宜方案。

说明了一种用于制造大量光电子半导体器件的方法。

按照该方法的至少一个实施方式，提供一种具有半导体层序列的第一复合体，其中所述第一复合体具有大量彼此机械连接的器件区。例如，设置半导体层序列，用于生成和/或用于接收电磁辐射、比如在可见光的、红外线的或者紫外线的频谱范围内的电磁辐射。

该第一复合体例如具有载体，在所述载体上布置有半导体层序列。该载体可以是用于半导体层序列的尤其是外延的沉积的生长衬底。可替换地，该载体也可以与半导体层序列的生长衬底不同。

例如针对半导体层序列的一个或多个半导体层的随后的电接触，半导体层序列可以朝横向方向、即沿着所述半导体层序列的半导体层的主延伸层来结构化。

此外，半导体层序列还可以在大量器件区内贯穿地延伸。可替换地，半导体层序列可以被结构化，用于限定各个器件区，其中所述半导体层序列可以朝垂直方向、即垂直于所述半导体层序列的半导体层的主延伸层地部分或者完全被切断。尤其是，所述各个器件区可以仅仅通过载体彼此机械连接。

按照该方法的至少一个实施方式，该方法包括如下步骤，在所述步骤，在半导体层序列上构造大量触头。尤其是，在每个器件区上都构造至少一个触头。优选地，在每个器件区上构造两个触头，所述两个触头分别与半导体层序列的彼此不同的半导体层电接触。例如，每个器件区都具有正好两个或超过两个触头，所述触头布置在半导体层序列的背离载体的一侧。

按照该方法的至少一个实施方式，该方法包括如下步骤，在所述步骤，在半导体层序列上构造第一模塑料。尤其是，所述第一模塑料被构造为使得所述第一模塑料完全地或者至少部分地填充在所述触头之间的中间空间。所涂覆的第一模塑料的垂直伸展相对于半导体层序列的垂直伸展可以是大的。例如，所涂覆的第一模塑料的垂直伸展是半导体层序列的垂直伸展的至少两倍大。这样，简化了半导体层序列借助于第一模塑料的机械稳定。

第一模塑料尤其是紧邻触头。例如，第一模塑料在背离半导体层序列的一侧完全或者至少局部地覆盖触头。

按照该方法的至少一个实施方式，该方法包括如下步骤，在所述步骤，具有所述第一模塑料的第一复合体被分割，其中在从第一模塑料分割时形成大量第一成型体，所述第一成型体分别分配有一个来自所述第一复合体的器件区的半导体主体。