[发明专利]高电压开关在审
申请号: | 201680006057.X | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN107112987A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | A·P·乔施;G·拉简德兰 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/10 | 分类号: | H03K17/10 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 开关 | ||
1.一种电路,包括:
第一输入端子和第二输入端子,用于连接到第一输入电压和第二输入电压的源,其中所述第一输入电压和所述第二输入电压本质上是差分的;
输出电路,具有用于连接到负载的输出端子,所述输出电路包括至少一个晶体管器件,所述至少一个晶体管器件具有栅极端子和体极端子;以及
采样电路,具有与所述第一输入端子和所述第二输入端子电连接的第一输入和第二输入,所述采样电路还具有连接到所述至少一个晶体管器件的所述栅极端子和所述体极端子的输出,
所述采样电路操作以响应于所述第一输入端子和所述第二输入端子处的电压电平,在所述采样电路的所述输出处产生电压电平。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述采样电路进一步操作以在所述采样电路的所述输出处产生与所述第一输入端子和所述第二输入端子之间的电压摆幅成比例的电压电平。
3.根据权利要求1所述的电路,其中所述采样电路包括整流器电路。
4.根据权利要求1所述的电路,其中所述采样电路包括峰值检测器。
5.根据权利要求1所述的电路,其中所述采样电路包括自混频本地振荡器。
6.根据权利要求1所述的电路,其中所述输出电路还包括具有栅极端子和体极端子的第二晶体管器件,其中所述采样电路的所述输出被进一步连接到所述第二晶体管器件的所述栅极端子和所述体极端子。
7.根据权利要求1所述的电路,其中所述至少一个晶体管器件是场效应晶体管(FET)。
8.一种电路,包括:
第一输入端子和第二输入端子;
第一输出端子和第二输出端子;
连接在所述输入端子和所述输出端子之间的网络;
开关电路,具有源极端子、漏极端子、至少一个栅极端子和至少一个体极端子,所述输入端子连接到所述源极端子和所述漏极端子;
采样电路,具有与所述输入端子电连接的输入,所述采样电路具有至少一个输出,
所述采样电路的所述至少一个输出被连接到所述开关电路的所述至少一个栅极端子和所述至少一个体极端子,
所述采样电路操作以基于所述输入端子处的输入信号,在所述采样电路的所述至少一个输出处生成电压电平。
9.根据权利要求8所述的电路,其中所述采样电路操作以生成与所述第一输入端子和所述第二输入端子之间的电压摆幅成比例的电压电平。
10.根据权利要求8所述的电路,其中所述采样电路被连接到所述网络中的采样点。
11.根据权利要求10所述的电路,其中所述网络包括第一电感器和第二电感器。
12.根据权利要求8所述的电路,其中所述开关电路包括第一晶体管器件和第二晶体管器件,所述第一晶体管器件的源极被连接到所述第二晶体管器件的漏极。
13.根据权利要求12所述的电路,其中所述采样电路被连接到所述第一晶体管器件和所述第二晶体管器件的栅极端子和体极端子。
14.根据权利要求8所述的电路,其中所述开关电路包括单个晶体管器件。
15.一种电路,包括:
第一输入端子和第二输入端子;
开关电路,具有源极端子、漏极端子、至少一个栅极端子和至少一个体极端子,所述输入端子连接到所述源极端子和所述漏极端子;以及
用于响应于所述第一输入端子和所述第二输入端子处的电压摆幅而生成电压电平的装置,
用于生成的所述装置具有连接到所述至少一个栅极端子和所述至少一个体极端子的至少一个输出,用于生成的所述装置操作以将所述至少一个栅极端子和所述至少一个体极端子偏置在高于所述源极端子和所述漏极端子处的电压电平的电压电平处。
16.根据权利要求15所述的电路,其中用于生成的所述装置包括整流器电路。
17.根据权利要求15所述的电路,其中用于生成的所述装置包括峰值检测器。
18.根据权利要求15所述的电路,其中用于生成的所述装置包括自混频本地振荡器。
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