[发明专利]高电压开关

说明书

技术领域

本申请要求于2015年1月29日提交的美国申请No.14/608,643的优先权，其全部内容通过引用并入本文以用于所有目的。

背景技术

除非另有说明，否则上述内容不被认为是本文所记载的权利要求的现有技术，并且不应被如此解释。

射频(RF)电路通常需要无源器件的高功率开关以用于功率控制、多频带调谐等。RF应用(例如，移动通信设备等)通常具有限制设计者可用的硅面积量的空间约束。

以高功率操作开关将开关暴露于跨越其源极、栅极、漏极和体极端子的高电压摆幅。高电压摆幅在将开关保持在关断状态方面面临挑战，从而影响高电压开关的可靠性。

附图说明

关于要进行的讨论、特别是附图，强调所示出的细节代表用于示例性讨论的示例，并且是提供本公开的原理和概念方面的描述的原因。在这方面，除了对本公开的基本理解所需要的内容之外，未尝试示出实现细节。以下讨论结合附图使得对于本领域技术人员来说，可以如何实践根据本公开的实施例变得明显。在附图中：

图1示出了用于根据本公开的电路的示意图。

图1A示出了用于根据本公开的电路的备选实施例的示意图。

图2图示了本公开的电路的一个具体实施例的示例。

图2A图示了图2中所示的电路的一个备选实施例。

图3图示了本公开的备选电路的一个实施例。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多示例和具体细节，以提供对本公开的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，在权利要求中表示的本公开可以包括这些示例中的一些特征或全部特征，单独地或与下文描述的其他特征组合，并且还可以包括本文所描述的特征和概念的修改和等同物。

图1示出了根据本公开的用于驱动负载10的电路100的高层级框图。电路100包括差分输入端子INP和INM以及输出端子OUT1和OUT2。该图图示了可以输入到电路100的输入信号12a、12b的示例。在所示出的示例中，输入信号12a、12b相对于彼此是180°异相的。峰间电压摆幅可以是2V_DD，约为V_DD的中心电压以及2V_DD和0伏的峰值电压。

在一些实施例中，电路100可以是包括串联连接的第一和第二晶体管器件M1、M2的输出电路。在特定实施例中，M1和M2是场效应晶体管(FET)，特别是PMOS型FET器件。然而，应当理解，在其他实施例中，M1和M2可以是NMOS器件。晶体管M1和M2可以是增强型晶体管或耗尽型晶体管。

在图1所示的实施例中，M1的源极端子和M2的漏极端子与电压源V_DD具有公共连接。输入端子INP、INM可以跨越晶体管M1和M2连接。例如，输入端子INP可以被连接到M1的漏极端子，并且输入端子INM可以被连接到M2的源极端子。

电路100可以包括第一和第二电感元件L，以将输入端子INP、INM耦合到输出端子OUT1、OUT2。例如，在图1所示的实施例中，每个电感元件L可以将输入端子INP、INM连接到相应的输出端子OUT1、OUT2。

根据本公开，电路100可以包括采样电路102。采样电路102的输入可以被连接，以感测输入信号(例如，12a、12b)。采样电路102的输入可以例如被连接到感测点104、106。根据本公开，感测点104、106可以是允许采样电路102感测输入信号的任何连接。例如，参考图1A，通常，输入端子INP、INM可以被图中由阻抗Z表示的一般性网络114、116耦合到输出。采样电路102可以将其输入连接到网络114、116中沿信号路径与输入端子INP、INM电连通的感测点。